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公开(公告)号：CN100472623C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610071900.0
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/0908 , G11B7/00 , G11B7/0901 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1356 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的装置具备：会聚从受发光一体型元件(31)出射到光盘(2)的不同波长的出射光、同时会聚来自光盘的返回光的物镜(34)；将受发光一体型元件的出射光分割成0次光及±1次光第1衍射光栅(45)；使返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由第3衍射光栅衍射的-1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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公开(公告)号：CN1945711A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610071900.0
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/0908 , G11B7/00 , G11B7/0901 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1356 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的装置具备：会聚从受发光一体型元件(31)出射到光盘(2)的不同波长的出射光、同时会聚来自光盘的返回光的物镜(34)；将受发光一体型元件的出射光分割成0次光及±1次光第1衍射光栅(45)；使返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由第3衍射光栅衍射的－1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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公开(公告)号：CN100449621C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02827355.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的装置具备：会聚从受发光一体型元件(31)出射到光盘(2)的不同波长的出射光、同时会聚来自光盘的返回光的物镜(34)；将受发光一体型元件的出射光分割成0次光及±1次光第1衍射光栅(45)；使返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由第3衍射光栅衍射的-1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100377233C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02827360.5
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/0908 , G11B7/00 , G11B7/0901 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1356 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的光学头装置具备：将受发光一体型元件(31)的出射光分割成0次光及±1次光的第1衍射光栅(45)；使来自光盘(2)的返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由该第3衍射光栅衍射的-1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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公开(公告)号：CN1221042C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
Abstract: 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1615513A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02827360.5
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/0908 , G11B7/00 , G11B7/0901 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1356 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的光学头装置具备：将受发光一体型元件(31)的出射光分割成0次光及±1次光的第1衍射光栅(45)；使来自光盘(2)的返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由该第3衍射光栅衍射的－1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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公开(公告)号：CN1615512A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02827355.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0909 , G11B7/0916 , G11B7/1381
Abstract: 本发明的装置具备：会聚从受发光一体型元件(31)出射到光盘(2)的不同波长的出射光、同时会聚来自光盘的返回光的物镜(34)；将受发光一体型元件的出射光分割成0次光及±1次光第1衍射光栅(45)；使返回光的光路衍射的第2衍射光栅(46)；通过使该第2衍射光栅衍射的+1次光衍射来补正光路变动的第3衍射光栅(47)。受发光一体型元件通过接受由第3衍射光栅衍射的－1次光，生成聚焦误差信号FE，同时，通过接受由第1衍射光栅分割的±1次光的返回光，生成跟踪误差信号。
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公开(公告)号：CN1404631A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
Abstract: 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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