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公开(公告)号：CN101763782A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910265536.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G09F9/35 , G09G3/36 , G02F1/1333
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0412
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示方法，该显示装置具有：显示面板(11)，其具备多个通过液晶层的驱动而进行显示的像素(a)；和背光灯(12)，其从背面侧照明显示面板(11)的显示面。还具有设置在像素(a)中且接收从显示面板(11)的显示面(A)侧入射的光的受光元件(S)。还具有检测部，所述检测部根据来自背光灯(12)的照明光(h)在从显示面(A)放射的状态下通过受光元件(S)的受光量、和在至显示面(A)之前被遮断的状态下通过受光元件(S)的受光量的差，进行显示面(A)附近的图像识别。即便在显示区域中的所定区域的部分图像检测中也不会影响显示区域整体的画质、可以高精度地进行物体检测。
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公开(公告)号：CN101488301A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910003215.8
申请日：2009-01-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/133514 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , H04M1/22 , H04M2250/12
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的亮度调节方法，例如适用于液晶显示装置，与以往相比能够简单且精度良好地进行亮度调节。本发明在有效象素区域(2)设置外光光量检测用的外光传感器(8)，基于该外光传感器(8)的检测结果进行亮度调节。
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公开(公告)号：CN101471391B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101471391A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101634765B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910160832.9
申请日：2009-07-24
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 大谷夏树
IPC: G02F1/133 , H01L27/144
CPC classification number: G02F1/136209 , G01J1/32 , G01J1/4204 , G01J1/4228 , G01J1/46 , G02F1/13318 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/144
Abstract: 本文披露了一种显示装置以及电子设备，该显示装置包括：第一光电传感器部；第二光电传感器部；以及信号处理部，其中遮光膜形成在与基板上具有遮光功能的层相同的层中，从而与第二光电传感器部的光接收元件相关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540157B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910128869.3
申请日：2009-03-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133514 , G02F2201/58 , G09G3/3648 , G09G2300/0443 , G09G2300/0465 , G09G2320/0242 , G09G2360/144 , G09G2360/148
Abstract: 本发明涉及显示装置以及显示装置的亮度调整方法，例如应用于液晶显示装置，即使在有效像素区域内设置外光光量检测用的外光传感器的情况下，也能够有效避免画质变差。本发明通过色相校正机构(79R、79B)来校正由于配置外光传感器而减少的开口率引起的色相的变化。
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公开(公告)号：CN101464579A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184181.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种显示器，包括：基板，具有像素区域和形成光敏传感器部件的传感器区域；照明部分，用于从基板的一个表面侧照明基板；薄膜光敏二极管，设置在传感器区域中，至少具有P型半导体区域和N型半导体区域，并且用于接收从基板的另一个表面侧入射的光；以及金属膜，形成在基板的该一个表面侧，以便通过绝缘膜面对薄膜光敏二极管，用于限制由照明部分产生的光从该一个表面侧直接入射在薄膜光敏二极管上，并且固定到预定的电位，其中，在薄膜光敏二极管中，P型半导体区域的宽度和N型半导体区域的宽度彼此不同。
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公开(公告)号：CN101763782B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910265536.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09F9/35 , G09G3/36
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0412
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示方法，该显示装置具有：显示面板(11)，其具备多个通过液晶层的驱动而进行显示的像素(a)；和背光灯(12)，其从背面侧照明显示面板(11)的显示面。还具有设置在像素(a)中且接收从显示面板(11)的显示面(A)侧入射的光的受光元件(S)。还具有检测部，所述检测部根据来自背光灯(12)的照明光(h)在从显示面(A)放射的状态下通过受光元件(S)的受光量、和在至显示面(A)之前被遮断的状态下通过受光元件(S)的受光量的差，进行显示面(A)附近的图像识别。即便在显示区域中的所定区域的部分图像检测中也不会影响显示区域整体的画质、可以高精度地进行物体检测。
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公开(公告)号：CN101464579B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810184181.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种显示器，包括：基板，具有像素区域和形成光敏传感器部件的传感器区域；照明部分，用于从基板的一个表面侧照明基板；薄膜光敏二极管，设置在传感器区域中，至少具有P型半导体区域和N型半导体区域，并且用于接收从基板的另一个表面侧入射的光；以及金属膜，形成在基板的该一个表面侧，以便通过绝缘膜面对薄膜光敏二极管，用于限制由照明部分产生的光从该一个表面侧直接入射在薄膜光敏二极管上，并且固定到预定的电位，其中，在薄膜光敏二极管中，P型半导体区域的宽度和N型半导体区域的宽度彼此不同。
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公开(公告)号：CN101634765A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910160832.9
申请日：2009-07-24
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 大谷夏树
IPC: G02F1/133 , H01L27/144
CPC classification number: G02F1/136209 , G01J1/32 , G01J1/4204 , G01J1/4228 , G01J1/46 , G02F1/13318 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/144
Abstract: 本发明披露了一种显示装置以及电子设备，该显示装置包括：第一光电传感器部；第二光电传感器部；以及信号处理部，其中遮光膜形成在与基板上具有遮光功能的层相同的层中，从而与第二光电传感器部的光接收元件相关。
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