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公开(公告)号：CN101471391B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101471391A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101447523B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810178475.4
申请日：2008-12-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L31/105 , G02F1/13318 , G02F2201/58 , G06F3/0412 , H01L27/1214 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了光传感器和显示装置，包括具有光接收部的半导体薄膜的光传感器包括下列元件。基板具有正锥形的倾斜侧壁的凹槽。反射材料层沿基板的凹槽而设置。绝缘层覆盖其上具有反射材料层的基板。半导体薄膜设置在绝缘层上以跨过凹槽。半导体薄膜的光接收部设置在凹槽上方。根据本发明，可以增加对来自基板上方的光的灵敏度，另外也可以增加对长波长光的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101515094A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910007685.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133 , G06F3/041 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F1/1354 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种包括液晶板的液晶显示设备，其中所述液晶板具有第一基板、面对所述第一基板的第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、以及形成于所述第一基板的面对所述第二基板的一面侧的第一和第二电极，通过所述第一和第二电极向所述液晶层施加横向电场，由此在像素区显示图像；其中所述第一基板包括：在所述第一基板的面对所述第二基板的表面上设置的光接收元件，用于在其光接收表面上接收入射光，由此形成关于接收光的数据；并且，在所述第一基板的面对所述第二基板的所述一面侧设置平坦化膜以覆盖所述光接收元件。
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公开(公告)号：CN101447523A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178475.4
申请日：2008-12-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L31/105 , G02F1/13318 , G02F2201/58 , G06F3/0412 , H01L27/1214 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了光传感器和显示装置，包括具有光接收部的半导体薄膜的光传感器包括下列元件。基板具有正锥形的倾斜侧壁的凹槽。反射材料层沿基板的凹槽而设置。绝缘层覆盖其上具有反射材料层的基板。半导体薄膜设置在绝缘层上以跨过凹槽。半导体薄膜的光接收部设置在凹槽上方。根据本发明，可以增加对来自基板上方的光的灵敏度，另外也可以增加对长波长光的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101571633B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910132202.0
申请日：2009-04-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/133 , G06F3/042 , G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G06F3/0421
Abstract: 本发明提供了液晶显示设备，其包括：具有像素区域的液晶面板，在该像素区域中第一电极和第二电极给液晶层施加电场以显示图像；该液晶面板包括具有光接收面的光敏元件，光敏元件在像素区域中于光接收面处接收通过液晶层的入射光以产生接收光数据；第一电极和第二电极中的至少一个形成在像素区域除了像素区域的光接收面对应区域之外的区域中，该光接收面对应区域与光敏元件的光接收面相对应。
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公开(公告)号：CN101688998B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880023101.3
申请日：2008-11-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/133 , G02F1/1335 , G06F3/041 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G02F2201/58 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/148
Abstract: 图像质量和位置检测精度被改善。基于外部光传感器元件(32b)获得的接收光数据来控制从液晶面板(200)的一个表面侧向显示区域(PA)输出照明光的背光(300)的运行。基于设置在显示区域(PA)中的外部光传感器元件(32b)获得的接收光数据来控制背光(300)的运行。
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公开(公告)号：CN101571633A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910132202.0
申请日：2009-04-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/133 , G06F3/042 , G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G06F3/0421
Abstract: 本发明提供了液晶显示设备，其包括：具有像素区域的液晶面板，在该像素区域中第一电极和第二电极给液晶层施加电场以显示图像；该液晶面板包括具有光接收面的光敏元件，光敏元件在像素区域中于光接收面处接收通过液晶层的入射光以产生接收光数据；第一电极和第二电极中的至少一个形成在像素区域除了像素区域的光接收面对应区域之外的区域中，该光接收面对应区域与光敏元件的光接收面相对应。
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公开(公告)号：CN101688998A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023101.3
申请日：2008-11-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/133 , G02F1/1335 , G06F3/041 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G02F2201/58 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/148
Abstract: 图像质量和位置检测精度被改善。基于外部光传感器元件(32b)获得的接收光数据来控制从液晶面板(200)的一个表面侧向显示区域(PA)输出照明光的背光(300)的运行。基于设置在显示区域(PA)中的外部光传感器元件(32b)获得的接收光数据来控制背光(300)的运行。
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公开(公告)号：CN101464579A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184181.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种显示器，包括：基板，具有像素区域和形成光敏传感器部件的传感器区域；照明部分，用于从基板的一个表面侧照明基板；薄膜光敏二极管，设置在传感器区域中，至少具有P型半导体区域和N型半导体区域，并且用于接收从基板的另一个表面侧入射的光；以及金属膜，形成在基板的该一个表面侧，以便通过绝缘膜面对薄膜光敏二极管，用于限制由照明部分产生的光从该一个表面侧直接入射在薄膜光敏二极管上，并且固定到预定的电位，其中，在薄膜光敏二极管中，P型半导体区域的宽度和N型半导体区域的宽度彼此不同。
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