Patent search ap:("索尼株式会社") AND inv:"安田淳" Page 1

1.

发明授权
发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器失效

公开(公告)号：CN101232067B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200710186807.9

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 , 冨谷茂隆 , 前田勇树 , 盐见治典 , 网隆明 , 宫嶋孝夫 , 簗嶋克典 , 丹下贵志 , 安田淳

IPC: H01L33/00 , H01L21/82 , H01L21/20 , H01L27/15 , F21S4/00 , F21V23/00 , G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

2.

发明公开
发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器失效

公开(公告)号：CN101232067A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710186807.9

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 , 冨谷茂隆 , 前田勇树 , 盐见治典 , 网隆明 , 宫嶋孝夫 , 簗嶋克典 , 丹下贵志 , 安田淳

IPC: H01L33/00 , H01L21/82 , H01L21/20 , H01L27/15 , F21S4/00 , F21V23/00 , G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

3.

发明公开
发光二极管、集成发光二极管、其制法、生长方法、光源单元装置、背光装置、显示器和电子器件失效

公开(公告)号：CN1874022A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610099847.5

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 , 富谷茂隆 , 前田勇树 , 盐见治典 , 网隆明 , 宫嶋孝夫 , 簗嶋克典 , 丹下贵志 , 安田淳

IPC: H01L33/00 , H01L21/82 , H01L21/20 , H01L27/15 , F21S4/00 , G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

4.

发明授权
发光二极管、集成发光二极管、其制法、生长方法、光源单元装置、背光装置、显示器和电子器件失效

公开(公告)号：CN100438109C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610099847.5

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 , 富谷茂隆 , 前田勇树 , 盐见治典 , 网隆明 , 宫嶋孝夫 , 簗嶋克典 , 丹下贵志 , 安田淳

IPC: H01L33/00 , H01L21/82 , H01L21/20 , H01L27/15 , F21S4/00 , G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

Patent Agency Ranking