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公开(公告)号：CN1933204A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440556C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440435C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1992359B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1582520B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN02822141.9
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101232067A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100440557C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1992359A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1933203A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN101232067B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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