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公开(公告)号：CN1655326A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510008156.5
申请日：2005-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1292 , H01L29/78618
Abstract: 在硅膜表面上施加含有掺杂离子的溶液形成溶液层，然后干燥成含有杂质的复合层。用能量束辐照进行热处理，使复合层中的掺杂原子向硅膜扩散，进入源区和漏区。然后除去复合层。
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