公开(公告)号：CN1567437A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN200410059030.6

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 龟井隆广 ,  岸井典之 ,  铃木淳子 ,  渡边春夫 ,  小林健 ,  栗原研一 ,  宫崎孝弘

IPC: G11B5/708

CPC classification number: G11B5/735 ,  G11B5/627 ,  G11B5/7028 ,  G11B5/72 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供磁性记录介质，甚至当摩擦时间被延长或扫描速度被提高以实现长时间记录时，将不会在磁头上留下烧结物质，将减少间隔损耗并防止出错率的提高。本发明还提供一种清洗带，在没有引起磁头的任何磨损和损坏的情况下能够除去粘附于磁头上的烧结物质。它们实际上是包括含有带吡啶骨架和两个或多个配位体位的化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。此外，它们还是包括含有二酮化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。防粘剂，除了含有以上化合物以外，还含有钛酸酯偶联剂，羧酸和含磷化合物。

公开(公告)号：CN1655326A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008156.5

申请日：2005-02-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  龟井隆广 ,  川名喜之

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78618

Abstract: 在硅膜表面上施加含有掺杂离子的溶液形成溶液层，然后干燥成含有杂质的复合层。用能量束辐照进行热处理，使复合层中的掺杂原子向硅膜扩散，进入源区和漏区。然后除去复合层。

公开(公告)号：CN1236942A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99106209.4

申请日：1999-03-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林健 ,  岸井典之 ,  龟井隆广 ,  栗原研一 ,  岩本浩 ,  松泽伸行 ,  川名隆宏 ,  森敬郎 ,  山田有加利

IPC: G11B5/71

CPC classification number: G11B5/725

Abstract: 一种磁性记录介质,在各种使用条件下能保持优良的润滑性能,可长时间保持润滑效果并具有优良移动性能、耐磨性和耐用性。按照本发明的磁性记录介质包含:非磁性支撑元件;以及在非磁性支撑元件上形成的薄膜层,薄膜层含有至少磁性层,其中薄膜层包含由通式(1)表示的单酯一元羧酸润滑剂,其中R1是脂族烷基团或脂族链烯基团,R2是氟烷基基团、氟链烯基团、脂族烷基团或脂族链烯基团并且n是0或正整数。

公开(公告)号：CN1770393A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107040.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  赤尾裕隆 ,  龟井隆广 ,  中尾勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。

公开(公告)号：CN1180218A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97117989.1

申请日：1997-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 龟井隆广 ,  岸井典之 ,  铃木淳子 ,  渡边春夫 ,  小林健 ,  栗原研一 ,  宫崎孝弘

IPC: G11B5/708

Abstract: 本发明提供磁性记录介质,甚至当摩擦时间被延长或扫描速度被提高以实现长时间记录时,将不会在磁头上留下烧结物质,将减少间隔损耗并防止出错率的提高。本发明还提供一种清洗带,在没有引起磁头的任何磨损和损坏的情况下能够除去粘附于磁头上的烧结物质。它们实际上是包括含有带吡啶骨架和两个或多个配位体位的化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。此外,它们还是包括含有二酮化合物的防粘剂的一种磁性记录介质和一种清洗带。防粘剂,除了含有以上化合物以外,还含有钛酸酯偶联剂,羧酸和含磷化合物。

公开(公告)号：CN100380579C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510107040.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  赤尾裕隆 ,  龟井隆广 ,  中尾勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。