公开(公告)号：CN101527166B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910127201.7

申请日：2009-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山岸肇 ,  市川章二 ,  木下隆 ,  细见政功 ,  庄子光治

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。

公开(公告)号：CN101527166A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910127201.7

申请日：2009-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山岸肇 ,  市川章二 ,  木下隆 ,  细见政功 ,  庄子光治

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。