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公开(公告)号：CN1871176A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480008777.7
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种微机械的制造方法，其中不需要任何特殊封装技术可除去牺牲层和进行密封。配备有振子(4)的微机械(1)的制造方法包括在振子(4)的可动部周围形成牺牲层的步骤，用涂层膜(8)覆盖牺牲层并制作穿过涂层膜(8)连通牺牲层的通孔(10)的步骤，利用通孔(10)除去牺牲层以在可动部周围形成空间的牺牲层蚀刻步骤，以及蚀刻牺牲层后在压力减小的条件下进行膜沉积以密封通孔(10)的步骤。
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公开(公告)号：CN1268538C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03801273.1
申请日：2003-08-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0076 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明提供了一种用于具有高Q值和更高频带的高频过滤器的微型机械。该微型机械(20)包括：设置在衬底(1)上的输出电极(7)；包括第一绝缘薄膜(9)和第二绝缘薄膜(11)的夹层绝缘薄膜，所述第一和第二绝缘薄膜设置在衬底上以覆盖所述输出电极(7)；孔(11a)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)中以到达所述输出电极(7)；以及带状振动器电极(15)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)上，从而横过由所述孔(11a)内部构成的间隔部分(A)的上侧。
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公开(公告)号：CN101317328A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044615.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H02N1/006 , H03H9/2426 , H03H9/2463 , H03H9/525
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的元件构造来处理高频区域的电信号的微小机电装置。本发明的微小机电装置包括振动子元件，该振动子元件在衬底上具有多个电极和与该电极相对并通过静电驱动进行振动的梁，所述微小机电装置向多个电极和梁中的某一组合输入高频信号并从该组合输出高频信号。
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公开(公告)号：CN1720193A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380105115.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H9/2405 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明公开了一种微机械，用于高频滤波器，其具有高Q值且适用于高频段。微机械(1)包括：输出电极(7)，形成于衬底(5)上；层间绝缘膜(9)，其覆盖衬底(5)且包括开口(9a)，开口的底部是输出电极(7)；和带状谐振器电极(11)，形成于层间绝缘膜(9)以在上面横跨开口(9a)中的空间(A)，而谐振器电极(11)沿开口(9a)的侧壁向开口(9a)凹入。
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公开(公告)号：CN101317328B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680044615.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H02N1/006 , H03H9/2426 , H03H9/2463 , H03H9/525
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的元件构造来处理高频区域的电信号的微小机电装置。本发明的微小机电装置包括振动子元件，该振动子元件在衬底上具有多个电极和与该电极相对并通过静电驱动进行振动的梁，所述微小机电装置向多个电极和梁中的某一组合输入高频信号并从该组合输出高频信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527166A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910127201.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161
Abstract: 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。
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公开(公告)号：CN1681733A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821871.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/2463 , H03H3/0072
Abstract: 本发明公开一种用于具有高Q值和高频带的高频滤波器的微型机器(20)。在微型机器(20)中包括：设置在基片(4)上的输入电极(7b)、输出电极(7a)和支持电极(7c)；以及带状振动电极(15)，在穿过支持电极(7c)将振动电极(15)的两端部分支撑在输入电极(7b)和基片(4)上的状态下，通过穿过间隙部分(A)将梁(振动部分)16铺设在输出电极(7a)的上部形成振动电极(15)，其中在从端部至梁(16)的整个表面范围上，振动电极(15)的两端部分被完全地固定于所述输入电极(7b)和支持电极(7c)。
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公开(公告)号：CN101527166B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910127201.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161
Abstract: 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。
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公开(公告)号：CN100447074C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03821871.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/2463 , H03H3/0072
Abstract: 本发明公开一种用于具有高Q值和高频带的高频滤波器的微型机器(20)。在微型机器(20)中包括：设置在基片(4)上的输入电极(7b)、输出电极(7a)和支持电极(7c)；以及带状振动电极(15)，在穿过支持电极(7c)将振动电极(15)的两端部分支撑在输入电极(7b)和基片(4)上的状态下，通过穿过间隙部分(A)将梁(振动部分)16铺设在输出电极(7a)的上部形成振动电极(15)，其中在从端部至梁(16)的整个表面范围上，振动电极(15)的两端部分被完全地固定于所述输入电极(7b)和支持电极(7c)。
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公开(公告)号：CN100402411C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200380105115.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H9/2405 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明公开了一种微机械，用于高频滤波器，其具有高Q值且适用于高频段。微机械(1)包括：输出电极(7)，形成于衬底(5)上；层间绝缘膜(9)，其覆盖衬底(5)且包括开口(9a)，开口的底部是输出电极(7)；和带状谐振器电极(11)，形成于层间绝缘膜(9)以在上面横跨开口(9a)中的空间(A)，而谐振器电极(11)沿开口(9a)的侧壁向开口(9a)凹入。
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