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公开(公告)号：CN100452416C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610067363.2
申请日：2006-02-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括：阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜；第一隔离扩散层，其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素；以及第二隔离扩散层，其在第一隔离扩散层下面电隔离像素，其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中，第一隔离扩散层的内周部分形成突出区，具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合，并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层。
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公开(公告)号：CN1812115B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610051305.0
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101222587A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305782.X
申请日：2007-10-08
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 正垣敦
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件。该固态成像器件包括具有以二维矩阵排列的多个像素的成像区。每个像素包括具有第一导电类型的电荷积累区的光电二极管和用于读取在该光电二极管处获得的电荷的晶体管；以及独立的第一导电类型区，设置到所述多个像素的至少一部分且与所述光电二极管和所述晶体管隔离。在相邻像素之间连续地且在每个像素内非均匀地设置所述独立的第一导电类型区。
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公开(公告)号：CN1819252A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610067363.2
申请日：2006-02-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括：阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜；第一隔离扩散层，其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素；以及第二隔离扩散层，其在第一隔离扩散层下面电隔离像素，其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中，第一隔离扩散层的内周部分形成突出区，具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合，并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层。
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公开(公告)号：CN1812115A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610051305.0
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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公开(公告)号：CN101728409B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200910209101.9
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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公开(公告)号：CN101728409A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910209101.9
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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