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公开(公告)号:CN102683370B
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201210120959.X
申请日:2009-06-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 糸长总一郎
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 一种固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子装置,所述固体摄像装置包括:光电转换部;浮动扩散区域;由n型半导体制成的传输栅极;通过绝缘膜形成于传输栅极的光电转换部一侧的由n型半导体制成的侧壁;以及形成于传输栅极的浮动扩散区域一侧的由绝缘层构成的侧壁。在根据本发明的固体摄像装置中,可以改善信号电荷的读出特性。在根据本发明的电子装置中,可以改善固体摄像装置中的信号电荷的读出特性。
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公开(公告)号:CN101246898B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN200810008292.8
申请日:2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件和照相机。该固态成像器件由像素排列形成,所述像素中的每一个包括:光电转换元件和用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读晶体管,其中与所述浮动扩散部毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形成,并且除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形成。
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公开(公告)号:CN101615621B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910142237.2
申请日:2009-06-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 糸长总一郎
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 一种固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子装置,所述固体摄像装置包括:光电转换部;浮动扩散区域;由n型半导体制成的传输栅极;通过绝缘膜形成于传输栅极的光电转换部一侧的由n型半导体制成的侧壁;以及形成于传输栅极的浮动扩散区域一侧的由绝缘层构成的侧壁。在根据本发明的固体摄像装置中,可以改善信号电荷的读出特性。在根据本发明的电子装置中,可以改善固体摄像装置中的信号电荷的读出特性。
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公开(公告)号:CN101640209A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910161720.5
申请日:2009-07-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/8249 , H01L21/71 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括:半导体基板,其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部;第一侧壁部,其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上;第二侧壁部,其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上;第一硅化物阻挡膜,其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上;以及第二硅化物阻挡膜,其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠,其中,像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
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公开(公告)号:CN100579183C
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200510124964.8
申请日:2005-10-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供了一种具有单位象素的阵列的固态成像装置,每个单位象素包括光电转换元件和用于放大对应于由通过光电转换元件的光电转换获得的电荷的信号并输出所得到信号的放大晶体管。放大晶体管包括埋入沟道MOS晶体管。根据本发明,1/f噪声基本上可以被减小。
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公开(公告)号:CN101246898A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810008292.8
申请日:2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件和照相机。该固态成像器件由像素排列形成,所述像素中的每一个包括:光电转换元件和用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读晶体管,其中与所述浮动扩散部毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形成,并且除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形成。
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公开(公告)号:CN102938408B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201210409870.5
申请日:2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件和照相机。该固态成像器件由像素排列形成,所述像素中的每一个包括:光电转换元件和用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读晶体管,其中与所述浮动扩散部毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形成,并且除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形成。
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公开(公告)号:CN102683370A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210120959.X
申请日:2009-06-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 糸长总一郎
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 一种固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子装置,所述固体摄像装置包括:光电转换部;浮动扩散区域;由n型半导体制成的传输栅极;通过绝缘膜形成于传输栅极的光电转换部一侧的由n型半导体制成的侧壁;以及形成于传输栅极的浮动扩散区域一侧的由绝缘层构成的侧壁。在根据本发明的固体摄像装置中,可以改善信号电荷的读出特性。在根据本发明的电子装置中,可以改善固体摄像装置中的信号电荷的读出特性。
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公开(公告)号:CN101582436B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200910142913.6
申请日:2009-05-13
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 糸长总一郎
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件和电子装置。所述固体摄像器件具有如下各像素,在所述各像素中在用于所需颜色光的光电转换部上隔着绝缘膜形成有吸收短波长侧的光的吸收膜。在该固体摄像器件中,由于所述吸收膜吸收了进入到相应光电转换部中的所需颜色光的短波长侧的光,从而使得光谱灵敏度曲线上的短波长侧的漂浮段降低。因此,能够在不以峰值灵敏度的降低为代价的情况下,减小光电转换部中的混色(像素间的干扰)即颜色噪声。在具有上述固体摄像器件的电子装置中,由于减小了光电转换部中的混色(像素间的干扰),因而提高了图像质量。
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公开(公告)号:CN101320744B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200810110368.8
申请日:2008-06-04
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 糸长总一郎
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/76
Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置及其制作方法。该固态成像装置包括光电转换单元、晶体管和隔离光电转换单元和晶体管的元件隔离区。光电转换单元和晶体管构成像素。元件隔离区由导电类型与晶体管的源极区和漏极区的导电类型相反的半导体区形成。晶体管的栅电极的部分朝向元件隔离区侧突出超出晶体管的有源区。具有与晶体管的栅电极的栅极绝缘膜的厚度基本相同厚度的绝缘膜,形成在元件隔离区上从元件隔离区的位于晶体管的栅电极之下的部分到与位于晶体管的栅电极之下的部分连续的部分。
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