公开(公告)号：CN101556964B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。

公开(公告)号：CN101640209B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。

公开(公告)号：CN101556964A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。

公开(公告)号：CN101640209A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/71 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。