有机半导体薄膜的形成方法及薄膜半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101640252B

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN200910163601.3

    申请日:2009-07-30

    Inventor: 野元章裕

    CPC classification number: H01L51/0004 H01L27/283

    Abstract: 本发明提供了一种有机半导体薄膜的形成方法,包括以下步骤:在印刷板的主平面上形成混合墨水层,该混合墨水层包括以溶解于溶剂中的墨水形式从印刷板到基板不能转印的有机半导体材料和能够转印的有机材料的混合物,以及通过将印刷板上的混合墨水层转印到基板,形成将混合墨水层转印到基板上的有机半导体薄膜。在通过转印印刷形成有机半导体薄膜的有机半导体材料的选择方面,本发明显示出高的自由度,并因此能够通过采用印刷方法制造表现出良好性能的薄膜半导体装置。

    形成图案的方法和制作电子元件的方法

    公开(公告)号:CN101647095B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200880010726.6

    申请日:2008-01-10

    Abstract: 一种用于稳定地形成微细且精确图案的方法以及用于制作电子元件的方法。该图案化方法包括通过用液体组合物涂覆第一板(10)而形成导电膜(D)的步骤;通过将第二板(20)压向第一板(10)的形成有导电膜(D)的表面,将导电膜(D)的不需要的图案转印到第二板(20)的凸起(20a)的顶面以去除不需要的图案,从而在第一板(10)上形成导电图案(D′)的第二步骤;以及通过将第一板(10)的形成有导电图案(D′)的表面压向一基板的要被转印图案的表面来转印导电图案(D′)的步骤。假设第一板(10)的要涂覆液体组合物的表面的表面张力由α表示,由最大气泡压力法测量的在100msec时的液体组合物的动态表面张力由β表示,并且第二板(20)的凸起(20a)的顶面的表面张力由γ表示,液体组合物的成分或者第一板(10)或第二板(20)的表面材料设定为满足γ>α≥β。还提供了一种制作电子元件的方法。

    半导体器件的制造方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101000947B

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN200710001484.1

    申请日:2007-01-10

    Inventor: 野元章裕

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法。该方法包括以下步骤:(1)在抗水压印基板的抗水表面上涂敷含有有机半导体材料的溶液;(2)干燥如此涂敷的抗水表面上的含有有机半导体材料的溶液,以使与抗水表面接触的有机半导体材料结晶,由此形成半导体层;(3)热处理形成在压印基板上的半导体层;(4)在其中形成有经热处理的有机半导体层的一侧将压印基板压在要被转印的基板的表面上,使得有机半导体层被转印到要被转印的基板的表面上。

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