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公开(公告)号:CN101581884B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200910136493.0
申请日:2009-05-13
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 野元章裕
CPC classification number: H05K3/207 , B41M1/10 , B41M3/00 , B41N1/12 , H05K3/1275 , H05K2203/0113 , H05K2203/0534
Abstract: 本发明披露了一种凹版印刷板及其制造方法、电子基板及显示设备制造方法。凹版印刷板包括基板和设置在基板上的感光树脂膜。感光树脂膜包括深度随孔径宽度的增加而增加的多个凹入图案。通过本发明,能够在防止图案破裂且防止覆盖层接触凹入图案的底部的同时通过一个平版印刷操作来制造凹版印刷板,从而能够通过较简单的程序来精确地形成高分辨率的转印图案,并且能够通过使用该印刷方法以低成本制造具有高图案精确度的电子基板和显示设备。
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公开(公告)号:CN101640252B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200910163601.3
申请日:2009-07-30
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 野元章裕
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L27/283
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体薄膜的形成方法,包括以下步骤:在印刷板的主平面上形成混合墨水层,该混合墨水层包括以溶解于溶剂中的墨水形式从印刷板到基板不能转印的有机半导体材料和能够转印的有机材料的混合物,以及通过将印刷板上的混合墨水层转印到基板,形成将混合墨水层转印到基板上的有机半导体薄膜。在通过转印印刷形成有机半导体薄膜的有机半导体材料的选择方面,本发明显示出高的自由度,并因此能够通过采用印刷方法制造表现出良好性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号:CN101075659A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200710102579.2
申请日:2007-05-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0022 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成,且该薄膜晶体管的制造方法包括:通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤,以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。
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公开(公告)号:CN1853943A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610067926.8
申请日:2006-03-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 野元章裕
CPC classification number: H01L51/0004 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05K1/0393 , H05K3/1241 , H05K2203/0126 , H05K2203/1581 , Y10T29/49124
Abstract: 在用于施涂涂布液体的喷嘴被设置于基片下侧且控制润湿性的基片表面面朝下的情况下,喷嘴和基片相对移动,从而将该涂布液体施涂于基片的期望区域,随后使涂布液体干燥,以获得包括干燥的涂布层的图案。
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公开(公告)号:CN101388436B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200810161407.7
申请日:2006-03-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 野元章裕
CPC classification number: H01L51/0004 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05K1/0393 , H05K3/1241 , H05K2203/0126 , H05K2203/1581 , Y10T29/49124
Abstract: 提供了一种图案形成方法,有机场效应晶体管的制造方法,以及柔性印刷电路板的制造方法。在用于施涂涂布液体的喷嘴被设置于基片下侧且控制润湿性的基片表面面朝下的情况下,喷嘴和基片相对移动,从而将该涂布液体施涂于基片的期望区域,随后使涂布液体干燥,以获得包括干燥的涂布层的图案。
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公开(公告)号:CN101075659B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200710102579.2
申请日:2007-05-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/055 , H01L51/0022 , H01L51/0541
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成,且该薄膜晶体管的制造方法包括:通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤,以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。
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公开(公告)号:CN101647095B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200880010726.6
申请日:2008-01-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05K3/20
CPC classification number: H05K3/207 , H01L51/0022 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H05K3/046 , H05K2203/0108
Abstract: 一种用于稳定地形成微细且精确图案的方法以及用于制作电子元件的方法。该图案化方法包括通过用液体组合物涂覆第一板(10)而形成导电膜(D)的步骤;通过将第二板(20)压向第一板(10)的形成有导电膜(D)的表面,将导电膜(D)的不需要的图案转印到第二板(20)的凸起(20a)的顶面以去除不需要的图案,从而在第一板(10)上形成导电图案(D′)的第二步骤;以及通过将第一板(10)的形成有导电图案(D′)的表面压向一基板的要被转印图案的表面来转印导电图案(D′)的步骤。假设第一板(10)的要涂覆液体组合物的表面的表面张力由α表示,由最大气泡压力法测量的在100msec时的液体组合物的动态表面张力由β表示,并且第二板(20)的凸起(20a)的顶面的表面张力由γ表示,液体组合物的成分或者第一板(10)或第二板(20)的表面材料设定为满足γ>α≥β。还提供了一种制作电子元件的方法。
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公开(公告)号:CN101000947B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200710001484.1
申请日:2007-01-10
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 野元章裕
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/0014 , H01L51/0026 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法。该方法包括以下步骤:(1)在抗水压印基板的抗水表面上涂敷含有有机半导体材料的溶液;(2)干燥如此涂敷的抗水表面上的含有有机半导体材料的溶液,以使与抗水表面接触的有机半导体材料结晶,由此形成半导体层;(3)热处理形成在压印基板上的半导体层;(4)在其中形成有经热处理的有机半导体层的一侧将压印基板压在要被转印的基板的表面上,使得有机半导体层被转印到要被转印的基板的表面上。
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公开(公告)号:CN101641769B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200780052438.2
申请日:2007-12-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H05K3/046 , H01L29/41733 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H05K3/207 , H05K2203/0108 , H05K2203/0528 , H05K2203/0783 , H05K2203/1105
Abstract: 一种图案化方法包括:第一步骤,通过用液体组合物涂敷第一板(10)并加热该第一板(10)而形成导电薄膜(D);第二步骤,通过用表面上具有不规则图案形状的第二板(20)冲压第一板(10)的形成有导电膜(D)的表面并且通过将导电膜(D)的不需要的图案转印到第二板(20)的凸起(20a)的上表面以移除不需要的图案而在第一板上形成导电图案D’;以及第三步骤,通过用第一板(10)的形成有导电图案(D’)的表面冲压基板(30)的表面而将导电图案(D’)转印到基板(30)的要将图案转印到其上的表面上。液体组合物包含在加热的第一板(10)的表面温度下具有133Pa或者更小的蒸气压的溶剂。还提出了一种制造电子元件的方法。通过稳定液体组合物涂布的状态,可以以很好的重复性稳定地形成微细且精密的图案。
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公开(公告)号:CN101290870B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810092623.0
申请日:2008-04-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H05K3/046 , H05K3/207 , H05K2203/0108 , H05K2203/0528 , H05K2203/122
Abstract: 本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后,通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上,在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后,导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后,通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上,将第二图案转移到转移基板的表面上。
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