-
公开(公告)号：CN119315384A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411247206.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法，包括如下步骤：S1、原料共混：将钙钛矿前驱体和聚丙烯腈(PAN)溶于超干二甲基亚砜中，得到混合溶液；其中，所述聚丙烯腈(PAN)与钙钛矿前驱体的质量比为(0.3‑0.4)：1；S2、旋涂成膜：取混合溶液于玻璃衬底上，在惰性气体环境下利用旋涂法旋涂成膜，得到钙钛矿薄膜蓝光增益介质。本发明的方法所制备的钙钛矿薄膜可实现低阈值、高光增益的蓝光激射，在高湿度环境下具有良好的稳定性。
-
-
公开(公告)号：CN117999715A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064520.1
申请日：2022-02-18
Applicant: 索尼集团公司
Inventor： 滨口达史 , 幸田伦太郎 , 贾里德·亚历山大·卡恩斯 , 林贤太郎
Abstract: 提供了一种表面发光元件，能够实现简化的配置并且其中发光波长不受制造期间使用的基板的约束。根据本技术的表面发光元件包括至少一个发光元件部，其包括至少一个有机半导体层和设置在有机半导体层的一侧上的凹面镜。利用根据本技术的表面发光元件，可以提供一种能够实现简化配置并且其中发光波长不受制造期间使用的基板约束的表面发光元件。
-
公开(公告)号：CN116169562B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310185390.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点光源集成结构及其制备方法，涉及光源集成技术领域，解决现有的光源集成技术存在生成的半导体材料质量较差的问题，包括硅衬底，硅衬底上沉积二氧化硅层，二氧化硅层上沉积非晶硅层，非晶硅层上沉积氮化硅下包层，氮化硅下包层上生成胶体量子点增益层，胶体量子点增益层上沉积氮化硅上包层；氮化硅上包层上设置光栅结构；氮化硅上包层、胶体量子点增益层、氮化硅下包层形成尺寸为(8‑12)μm*(5‑8)μm的SiN/CQDs/SiN结构；非晶硅层位于氮化硅下包层正下方，非晶硅层的尺寸为(2‑6)μm*(5‑8)μm；硅衬底和二氧化硅层的尺寸均为(18‑22)*(18‑22)μm。
-
公开(公告)号：CN114530754B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210047109.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于激光器设计技术领域，公开了一种高散热钙钛矿纳米片激光器，包括：导热基座，所述导热基座上设置有二氧化硅键合层，所述二氧化硅键合层上设置有钙钛矿纳米片作为激光增益介质，所述钙钛矿纳米片上方设置有聚偏氟乙烯封装层，所述聚偏氟乙烯封装层用于封装所述钙钛矿纳米片。本发明中通过导热基座大幅降低器件温度；聚偏氟乙烯层具有耐高温、有效隔绝水/氧的物性，能够改善器件的稳定性。其次，聚偏氟乙烯封装层与二氧化硅层充当了双面波导，保证了这个结构能够达到的最高的光限制能力，从而降低功耗与热效应，进而提升器件热稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116742473A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310654211.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种绿光钙钛矿激光器及其制备方法，解决现有准二维钙钛矿因快速结晶不利于混合相组分的调控影响能量传递效率的问题。所述激光器包括基板及依次在基板上设置的交替结构的氧化钛及二氧化硅的底部分布式布拉格反射镜、由DMSO营造的气氛辅助结晶的钙钛矿发光层和交替结构的硫化锌及氟化钇的顶部分布式布拉格反射镜。本发明通过DMSO气氛延缓准二维钙钛矿的结晶过程，有效地提高了钙钛矿的晶体质量，同时调控了准二维钙钛矿的相分布，加快了由小n相(n＝2)至大n相(n≥5)的能量转移过程，制备了表面粗糙度低、结晶性好钙钛矿薄膜。通过结合分布式布拉格反射镜实现室温下连续激光泵浦的微腔激光器。
-
公开(公告)号：CN116598894A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310517373.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光控开关有机薄膜激光器件及其制备方法与应用，其包括：包括上下设置的基底和有机薄膜，有机薄膜为光致变色化合物与梯形化合物混合制得，所述光致变色化合物为[1,2‑双(2,4‑二甲基‑5‑苯基‑3‑噻吩基)‑3,3,4,4,5,5‑六氟‑1‑环戊烯]。本发明提供的光控开关有机薄膜激光器件具有低阈值和良好的光循环稳定性，且能够在多次光循环内能够保持稳定。
-
公开(公告)号：CN107936172B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810016171.1
申请日：2018-01-08
Applicant: 无锡佶达德光电子技术有限公司
Inventor： 陆知纬
IPC: C08F220/30 , C08F212/32 , H01S5/36
Abstract: 本发明提供了一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，包括4‑苯基‑7‑羟基香豆素的制备、丙烯酸‑4‑苯基‑7‑羟基香豆素酯的制备、香豆素类聚合物的制备等步骤。本发明还提供了上述香豆素类聚合物半导体激光材料在激光器中的应用。该材料制备成本低，合成简单可控，产率高，溶解性好，同时具有较好的热稳定性。该材料在有机激光器件应用中表现出优异的热稳定性能、成膜稳定性和低阈值特性，低的水氧敏感性和高发光强度。其高的发光效率和迁移率，使其在电泵浦有机半导体激光、有机电致发光和有机场效应晶体管方面具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号：CN108047212B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810016172.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 深圳市佶达德科技有限公司
Inventor： 陆知纬
IPC: C07D405/14 , C09K11/06 , H01S5/36
Abstract: 本发明提供了一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料的制备方法，包括4‑苯基‑7‑羟基香豆素的制备、双吡唑乙酸香豆素衍生物的制备等步骤。该双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料制备成本低，合成简单可控，产率高，溶解性好，同时具有较好的热稳定性。该材料在有机激光器件应用中表现出优异的热稳定性能、成膜稳定性和低阈值特性，低的水氧敏感性和高发光强度。其高的发光效率和迁移率，使其在电泵浦有机半导体激光、有机电致发光和有机场效应晶体管方面具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号：CN115485940A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031834.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 根特大学 , IMEC 非营利协会
Abstract: 一种集成光电器件(100，200，300)包括基板(30)，该基板支撑无源波导(31)，该无源波导用于在两个横向方向上限制折射率，并沿纵向方向引导至少一个光学模式。该器件还包括用于传输第一导电类型的载流子的第一电荷传输层(11)、用于传输与第一导电类型相反的第二导电类型的载流子的第二电荷传输层(12)、以及包括可溶液加工的半导体纳米晶体的颗粒膜的有源层(20)。该有源层相对于所述电荷传输层来被布置以形成二极管结。有源层以及第一和第二电荷传输层被进一步形成在基板上，使得它们各自在垂直于纵向方向的截面中与波导的至少一部分交叠。有源层被倏逝地耦合到波导。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
251
records
(took 0.026 seconds)
