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公开(公告)号：CN119297073A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410891343.5
申请日：2024-07-04
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本披露涉及一种半导体衬底、其制造方法及制造装置。提供一种低成本且高品质的半导体衬底的制造方法。本披露在SiC单晶衬底的Si面形成石墨烯层，在石墨烯层上形成SiC磊晶生长层，在SiC磊晶生长层上形成应力层，在应力层上贴附临时衬底的石墨衬底，剥离石墨烯层与SiC磊晶生长层，在剥离石墨烯层后的SiC磊晶生长层的C面形成SiC多晶生长层，去除石墨衬底，且形成石墨烯层的工序及形成SiC磊晶生长层的工序中的至少一个包含氟的氛围。
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公开(公告)号：CN114640023A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111318117.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能将能量小于带隙能量的光放大的半导体光放大器。本实施方式的半导体光放大器1具备：第1端面R1；第2端面R2，与第1端面隔开配置；第1半导体区域10及第2半导体区域14，配置在第1端面与第2端面之间；活性层12，由第1半导体区域与第2半导体区域所夹地配置在第1端面与第2端面之间，以间接迁移型半导体形成，将输入光hνi的强度通过受激发射放大；第1电极16，连接在第1半导体区域；及第2电极18，连接在第2半导体区域，利用与第1电极的电位差，检测活性层中的载子密度变化。活性层具备在间接迁移型半导体的带隙中形成能级的成为再耦合中心的点缺陷，通过经由所述能级的迁移，将能量小于带隙能量的光放大。
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公开(公告)号：CN119092396A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410591400.8
申请日：2024-05-13
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本披露提供一种形成在SiC单晶衬底上的含碳层的层数差异降低至1层以下的复合衬底。此外，本披露提供一种复合衬底的制造方法。本披露的复合衬底具备：SiC单晶衬底，具有偏离角；以及含碳层，与SiC单晶衬底的表面相接地配置，且包含重构表面层和石墨烯层层叠而成的层叠体或石墨烯层的任意一种；且在SiC单晶衬底的最外表面为Si终止面的情况下，在SiC单晶衬底的上方配置有层叠体，且配置有1层或2层石墨烯层，在SiC单晶衬底的最外表面为C终止面的情况下，在SiC单晶衬底的上方配置有1层或2层石墨烯层。
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公开(公告)号：CN118737916A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410356613.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/04
Abstract: 本披露涉及一种支撑板、支撑件及半导体衬底的制造方法。本披露提供能够高品质且低成本地制造半导体衬底的支撑件。本披露的支撑件包含：第1虚设衬底及第2虚设衬底；以及支柱，支撑第1虚设衬底及第2虚设衬底，且具有至少3片支撑板，支撑板通过多个槽中的第1槽而与第1虚设衬底嵌合，通过多个槽中的第2槽而与第2虚设衬底嵌合；且支柱支撑临时衬底，所述临时衬底插入到支撑板的多个槽中除了第1槽及第2槽以外的第3槽中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116761911A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180092349.0
申请日：2021-11-05
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括：生长炉(100A)；设置在生长炉(100A)的外部，将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107)；构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210)；和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101)，在SiC外延片制造装置中，该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A)，使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。
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公开(公告)号：CN116745886A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180091938.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 实施方式的半导体衬底(1)包括：六方晶系的SiC单晶层(13I)；配置在SiC单晶层(13I)的Si面上的SiC外延生长层(12E)；配置在SiC单晶层(13I)的与Si面相对的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。SiC单晶层(13I)具有使氢离子注入层(10HI)脆化了的单晶SiC薄化层(10HE)和磷离子注入层(10PI)。磷离子注入层(10PI)配置在单晶SiC薄化层(10HE)与SiC多晶生长层(18PC)之间。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116830276A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180091931.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明的半导体衬底(1)具有：SiC单晶衬底(10SB)；配置在SiC单晶衬底(10SB)的Si面上的石墨烯层(11GR)；隔着石墨烯层(11GR)配置在SiC单晶衬底(10SB)的上方的SiC外延生长层(12RE)；和配置在SiC外延生长层(12RE)的Si面上的多晶Si层(15PS)。也可以具有配置在多晶Si层(15PS)上的石墨衬底或者硅衬底。此外，也可以具有配置在SiC外延生长层(12RE)的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101874177A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880117505.9
申请日：2008-09-12
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: F21S8/04 , F21V3/00 , F21V3/02 , F21V21/005 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/24 , F21Y105/00
CPC classification number: F21S2/00 , F21V21/005 , F21V21/30 , F21Y2105/00 , F21Y2115/15 , H01L25/046 , H01L51/5271 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种照明装置，在面光源面板彼此之间的接缝部分不会产生暗部，亮度的面内均一性高。照明装置(1)具有以下结构：多个面光源面板(2)；配置于该面光源面板(2)的光出射侧的多个光漫反射板(3)。光漫反射板(3)形成为：矩形的底面配置于面光源面板(2)的发光区域上；出射表面(3a)与面光源面板(2)的平面轮廓同等大小；形成有从底面朝向出射表面(3a)而向斜外侧倾斜的侧面(3c)。互相邻接的光漫反射板(3)配置为彼此无缝连接，出射表面(3a)配置为连续。
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