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    半导体衬底及其制造方法
    1.
    发明公开
    半导体衬底及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116830276A

    公开(公告)日：2023-09-29

    申请号：CN202180091931.5

    申请日：2021-10-29

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 高村诚 ,  前川拓滋 ,  森本满 ,  真砂纪之 ,  冈孝保

    IPC: H01L29/872

    Abstract: 本发明的半导体衬底(1)具有：SiC单晶衬底(10SB)；配置在SiC单晶衬底(10SB)的Si面上的石墨烯层(11GR)；隔着石墨烯层(11GR)配置在SiC单晶衬底(10SB)的上方的SiC外延生长层(12RE)；和配置在SiC外延生长层(12RE)的Si面上的多晶Si层(15PS)。也可以具有配置在多晶Si层(15PS)上的石墨衬底或者硅衬底。此外，也可以具有配置在SiC外延生长层(12RE)的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。

    半导体基板和半导体装置及它们的制造方法
    2.
    发明公开
    半导体基板和半导体装置及它们的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114245932A

    公开(公告)日：2022-03-25

    申请号：CN202080055823.8

    申请日：2020-07-31

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 前川拓滋 ,  森本满

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

    Abstract: 本发明提供一种半导体基板(10)，其包含由单晶SiC半导体形成的第一层的漂移层(11)以及在第一层的表面上由包含多晶SiC半导体形成的第二层(12)的缓冲层(12a)和衬底层(12b)，第二层(12)通过CVD生长而形成在第一层的漂移层(11)的表面上，上述第一层的漂移层(11)通过外延生长而形成，抑制在包含单晶SiC和多晶SiC的半导体基板的接合界面产生的缺陷，还降低制造成本。

    支撑板、支撑件及半导体衬底的制造方法
    3.
    发明公开
    支撑板、支撑件及半导体衬底的制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118737916A

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202410356613.2

    申请日：2024-03-27

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 高村诚 ,  森本満 ,  前川拓滋

    IPC: H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/04

    Abstract: 本披露涉及一种支撑板、支撑件及半导体衬底的制造方法。本披露提供能够高品质且低成本地制造半导体衬底的支撑件。本披露的支撑件包含：第1虚设衬底及第2虚设衬底；以及支柱，支撑第1虚设衬底及第2虚设衬底，且具有至少3片支撑板，支撑板通过多个槽中的第1槽而与第1虚设衬底嵌合，通过多个槽中的第2槽而与第2虚设衬底嵌合；且支柱支撑临时衬底，所述临时衬底插入到支撑板的多个槽中除了第1槽及第2槽以外的第3槽中。

    半导体基板及其制造方法
    6.
    发明公开
    半导体基板及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116547416A

    公开(公告)日：2023-08-04

    申请号：CN202180082058.3

    申请日：2021-10-01

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 真砂纪之 ,  前川拓滋 ,  森本满 ,  冈孝保

    IPC: C30B25/20

    Abstract: 本发明的半导体基板(1)具备SiC单晶基板(10SB)、配置于SiC单晶基板(10SB)的Si面上的第一石墨烯层(11GR1)、隔着第一石墨烯层形成于SiC单晶基板的上方的SiC外延生长层(12RE)、以及配置于SiC外延生长层的Si面上的第二石墨烯层(11GR2)。还具备经由第二石墨烯层临时接合在SiC外延生长层上的SiC多晶基板(16P)。SiC单晶基板能够通过从SiC外延生长层剥离而再利用。还具备在SiC外延生长层的C面CVD生长而成的SiC多晶生长层(18PC)，SiC外延生长层被转印到SiC多晶生长层。本发明提供一种能够提高生产率、可靠性、以及量产度的半导体基板。

    SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法
    8.
    发明公开
    SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116761911A

    公开(公告)日：2023-09-15

    申请号：CN202180092349.0

    申请日：2021-11-05

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 高村诚 ,  前川拓滋 ,  森本满 ,  真砂纪之 ,  冈孝保

    IPC: C30B29/36

    Abstract: 本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括：生长炉(100A)；设置在生长炉(100A)的外部，将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107)；构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210)；和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101)，在SiC外延片制造装置中，该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A)，使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。

    半导体衬底及其制造方法和半导体器件
    9.
    发明公开
    半导体衬底及其制造方法和半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN116745886A

    公开(公告)日：2023-09-12

    申请号：CN202180091938.7

    申请日：2021-11-05

    Applicant: 罗姆股份有限公司

    Inventor： 高村诚 ,  前川拓滋 ,  森本满 ,  真砂纪之 ,  冈孝保

    IPC: H01L21/02

    Abstract: 实施方式的半导体衬底(1)包括：六方晶系的SiC单晶层(13I)；配置在SiC单晶层(13I)的Si面上的SiC外延生长层(12E)；配置在SiC单晶层(13I)的与Si面相对的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。SiC单晶层(13I)具有使氢离子注入层(10HI)脆化了的单晶SiC薄化层(10HE)和磷离子注入层(10PI)。磷离子注入层(10PI)配置在单晶SiC薄化层(10HE)与SiC多晶生长层(18PC)之间。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。

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