公开(公告)号：CN111106118B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201911017035.5

申请日：2019-10-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘浏 ,  D·戴寇克 ,  R·K·本斯利 ,  G·马佐内 ,  N·比利克 ,  J·D·格林利 ,  M·李 ,  李奔奔

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 本申请涉及包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含形成堆叠的存储器叠组的方法。第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱。叠组间结构在所述第一叠组上。所述叠组间结构包含绝缘扩大区，以及延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区。所述区包含蚀刻终止结构。第二叠组形成于所述叠组间结构上。所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元。开口经形成以延伸穿过所述第二层，且延伸到所述蚀刻终止结构。所述开口随后延伸穿过所述蚀刻终止结构。第二沟道材料柱形成于所述开口内，且耦合到所述第一沟道材料柱。一些实施例包含集成组件。

公开(公告)号：CN111106118A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911017035.5

申请日：2019-10-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘浏 ,  D·戴寇克 ,  R·K·本斯利 ,  G·马佐内 ,  N·比利克 ,  J·D·格林利 ,  M·李 ,  李奔奔

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请涉及包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含形成堆叠的存储器叠组的方法。第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱。叠组间结构在所述第一叠组上。所述叠组间结构包含绝缘扩大区，以及延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区。所述区包含蚀刻终止结构。第二叠组形成于所述叠组间结构上。所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元。开口经形成以延伸穿过所述第二层，且延伸到所述蚀刻终止结构。所述开口随后延伸穿过所述蚀刻终止结构。第二沟道材料柱形成于所述开口内，且耦合到所述第一沟道材料柱。一些实施例包含集成组件。