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公开(公告)号：CN111106118B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201911017035.5
申请日：2019-10-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含形成堆叠的存储器叠组的方法。第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱。叠组间结构在所述第一叠组上。所述叠组间结构包含绝缘扩大区，以及延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区。所述区包含蚀刻终止结构。第二叠组形成于所述叠组间结构上。所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元。开口经形成以延伸穿过所述第二层，且延伸到所述蚀刻终止结构。所述开口随后延伸穿过所述蚀刻终止结构。第二沟道材料柱形成于所述开口内，且耦合到所述第一沟道材料柱。一些实施例包含集成组件。
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公开(公告)号：CN110010609B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201811613043.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·马托武 , D·S·梅亚德 , G·达马拉 , S·S·S·维格昂塔 , K·舍罗特瑞 , S·萨拉夫 , K·R·加斯特 , J·K·K·琼斯拉曼 , S·拉玛罗杰 , 徐丽芳 , R·K·本斯利 , R·纳鲁卡尔 , M·J·金
Abstract: 本申请案涉及包含梯级结构的半导体装置及相关方法。一种形成半导体结构的方法包含：在包括电介质材料和另一材料的交替层的堆叠上方形成牺牲材料；穿过所述牺牲材料和所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层中的至少一些形成开口；在所述牺牲材料的所述开口和上覆表面中形成至少一种氧化物材料，所述至少一种氧化物材料的最上表面比所述电介质材料和所述另一材料的最上层从衬底的表面延伸更远；平坦化所述至少一种氧化物材料的一至少部分以暴露所述牺牲材料的一部分；及移除所述牺牲层，同时所述至少一种氧化物材料的所述最上表面保持比所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层的所述最上层从所述衬底的所述表面延伸更远。揭示形成半导体结构和相关半导体装置的相关方法。
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公开(公告)号：CN111106118A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911017035.5
申请日：2019-10-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含形成堆叠的存储器叠组的方法。第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱。叠组间结构在所述第一叠组上。所述叠组间结构包含绝缘扩大区，以及延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区。所述区包含蚀刻终止结构。第二叠组形成于所述叠组间结构上。所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元。开口经形成以延伸穿过所述第二层，且延伸到所述蚀刻终止结构。所述开口随后延伸穿过所述蚀刻终止结构。第二沟道材料柱形成于所述开口内，且耦合到所述第一沟道材料柱。一些实施例包含集成组件。
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公开(公告)号：CN110010609A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811613043.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·马托武 , D·S·梅亚德 , G·达马拉 , S·S·S·维格昂塔 , K·舍罗特瑞 , S·萨拉夫 , K·R·加斯特 , J·K·K·琼斯拉曼 , S·拉玛罗杰 , 徐丽芳 , R·K·本斯利 , R·纳鲁卡尔 , M·J·金
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及包含梯级结构的半导体装置及相关方法。一种形成半导体结构的方法包含：在包括电介质材料和另一材料的交替层的堆叠上方形成牺牲材料；穿过所述牺牲材料和所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层中的至少一些形成开口；在所述牺牲材料的所述开口和上覆表面中形成至少一种氧化物材料，所述至少一种氧化物材料的最上表面比所述电介质材料和所述另一材料的最上层从衬底的表面延伸更远；平坦化所述至少一种氧化物材料的一至少部分以暴露所述牺牲材料的一部分；及移除所述牺牲层，同时所述至少一种氧化物材料的所述最上表面保持比所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层的所述最上层从所述衬底的所述表面延伸更远。揭示形成半导体结构和相关半导体装置的相关方法。
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