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公开(公告)号：CN102971848A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032458.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633
Abstract: 本发明包含一种高密度电阻式随机存取存储器RRAM装置以及制作高密度RRAM装置的方法。一种形成RRAM装置的方法包含形成具有金属-金属氧化物界面的电阻式元件。形成所述电阻式元件包含在第一电极上方形成绝缘材料及在所述绝缘材料中形成通孔。用金属材料保形地填充所述通孔并将所述金属材料平面化到所述通孔内。选择性地处理所述通孔内的所述金属材料的一部分以在所述通孔内形成金属-金属氧化物界面。在所述电阻式元件上方形成第二电极。
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公开(公告)号：CN119920753A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510107530.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本申请案涉及形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比特征的方法。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直侧壁及所述电介质材料堆叠内的至少一个特征，所述至少一个特征包括至少约30:1的纵横比。
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公开(公告)号：CN106463616B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580029162.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L45/00 , C23C16/455
Abstract: 一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。
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公开(公告)号：CN101542657A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780042144.1
申请日：2007-11-14
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 约翰·A·斯迈思
IPC: H01G4/12 , H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01G4/12 , H01G4/1218 , H01L27/10852 , Y10T29/417
Abstract: 本发明揭示一种形成例如层等介电结构的方法。所述方法包括从高k材料的多个部分形成高k结构。通过沉积所述高k材料的多个单层并使所述高k材料退火而形成所述高k材料的所述多个部分中的每一者。所述高k材料可为钙钛矿型材料，其包含(但不限于)钛酸锶。还揭示一种介电结构、并入有介电结构的电容器和形成电容器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731659A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710691033.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02219 , H01L21/0234 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。
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公开(公告)号：CN106463616A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029162.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L45/00 , C23C16/455
Abstract: 一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。
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公开(公告)号：CN115458401A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210956218.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/762 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。
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公开(公告)号：CN110021550A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811598464.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本申请案涉及形成高纵横比开口的方法、形成高纵横比特征的方法及相关半导体装置。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直侧壁及所述电介质材料堆叠内的至少一个特征，所述至少一个特征包括至少约30:1的纵横比。
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公开(公告)号：CN102971848B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180032458.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633
Abstract: 本发明包含一种高密度电阻式随机存取存储器RRAM装置以及制作高密度RRAM装置的方法。一种形成RRAM装置的方法包含形成具有金属-金属氧化物界面的电阻式元件。形成所述电阻式元件包含在第一电极上方形成绝缘材料及在所述绝缘材料中形成通孔。用金属材料保形地填充所述通孔并将所述金属材料平面化到所述通孔内。选择性地处理所述通孔内的所述金属材料的一部分以在所述通孔内形成金属-金属氧化物界面。在所述电阻式元件上方形成第二电极。
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