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公开(公告)号：CN112106185A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031599.6
申请日：2019-04-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L29/78 , H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含一种具有带有表面的半导体材料的集成组合件。第一层在所述表面上方且直接抵靠所述表面。所述第一层包含氧及第一金属。氧与所述第一金属的相对量小于或等于足以遍及所述第一层形成化学计量的金属氧化物的量。第二金属在所述第一层上方且直接抵靠所述第一层。第二层在所述第二金属上方且直接抵靠所述第二金属。所述第二层包含氮及第三金属。一些实施例包含一种具有带有表面的半导体材料的集成组合件。金属与所述表面相邻且与所述表面隔开达小于或等于约 的距离。在所述金属与所述表面之间不存在金属锗化物或金属硅化物。
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公开(公告)号：CN106415868B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580027404.2
申请日：2015-04-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种磁性单元包含磁性区，所述磁性区由包括扩散物质及至少一种其它物质的前驱物磁性材料形成。非晶区接近于所述磁性区且由包括至少一种吸子物质的前驱物陷获材料形成，所述至少一种吸子物质具有至少一个陷获位点及对所述扩散物质的化学亲和力。所述扩散物质从所述前驱物磁性材料转移到所述前驱物陷获材料，其中所述扩散物质在所述陷获位点处键结到所述至少一种吸子物质。所述浓化陷获材料的物质可互混，使得所述浓化陷获材料变成或保持非晶的。接着可在无来自所述非晶浓化陷获材料的干扰的情况下通过来自相邻结晶材料的传播使耗尽磁性材料结晶。此实现高隧道磁阻及高磁各向异性强度。本发明还揭示制作方法及半导体装置。
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公开(公告)号：CN109690732A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780052426.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明揭示一种形成半导体装置结构的方法，所述方法包括在衬底上方形成至少一个2D材料。使用至少一个激光束来处理所述至少一个2D材料，以选择性地从所述至少一个2D材料激发且移除所述结晶缺陷，所述至少一个激光束具有对应于所述至少一个2D材料内的结晶缺陷的共振频率的电磁辐射的频率。还揭示形成半导体装置结构的额外方法，及相关的半导体装置结构、半导体装置，及电子系统。
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公开(公告)号：CN107124905B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201580056941.X
申请日：2015-08-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。所述区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙及在从约1.8到25的范围内的介电常数。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。
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公开(公告)号：CN106463513B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580025895.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463513A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025895.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
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公开(公告)号：CN107078211B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201580055998.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 磁性单元包含磁性区域、次要氧化物区域及吸气剂晶种区域。在形成期间，扩散性物质由于由吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体磁性材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述磁性材料的耗尽使得所述耗尽磁性材料能够在无来自现在为富集的所述吸气剂晶种区域的干扰的情况下通过从相邻结晶材料的晶体结构传播而结晶。此促成高隧穿磁阻及高磁性各向异性强度。此外，在形成期间，另一扩散性物质由于由另一吸气剂物质引起的化学亲和力而从前体氧化物材料转移到所述吸气剂晶种区域。所述氧化物材料的耗尽实现单元结构中的较低电阻及低阻尼。本发明还揭示制造方法及半导体装置。
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公开(公告)号：CN107731659A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710691033.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02219 , H01L21/0234 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。
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公开(公告)号：CN115458401A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210956218.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/762 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。
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公开(公告)号：CN110265400A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910480089.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L49/02 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种铁电装置及其形成方法。本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。
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