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公开(公告)号：CN119212388A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411326013.8
申请日：2020-10-20
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环。在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料。
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公开(公告)号：CN112802847B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011122699.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环。在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料。所述第一绝缘体材料和第二绝缘体材料包括相对彼此不同的组成。在所述第二绝缘体材料中形成导电通孔，所述导电通孔各自通过所述向上突起导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。
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公开(公告)号：CN112802847A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011122699.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环。在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料。所述第一绝缘体材料和第二绝缘体材料包括相对彼此不同的组成。在所述第二绝缘体材料中形成导电通孔，所述导电通孔各自通过所述向上突起导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。
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