公开(公告)号：CN104752155B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310742921.0

申请日：2013-12-30

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 赵福 ,  陈思奇 ,  顾文彬 ,  沈佳 ,  周旭波

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。

公开(公告)号：CN104752155A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310742921.0

申请日：2013-12-30

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 赵福 ,  陈思奇 ,  顾文彬 ,  沈佳 ,  周旭波

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。

公开(公告)号：CN205046216U

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201520749646.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 赵福 ,  熊灿 ,  李正峰

IPC: C25D17/06

Abstract: 本实用新型提供晶圆电镀夹具，包括凹槽结构、挡板结构和盖板结构。本实用新型所述的晶圆电镀夹具，设计结构简单，有效的解决了晶圆边缘和中心区域电流不均问题，最终实现电镀后晶圆边缘区域的镀膜厚度与中心区域的镀膜厚度有很好的一致性。