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公开(公告)号：CN108574042A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810597724.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
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公开(公告)号：CN108574042B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810597724.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
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公开(公告)号：CN105098062A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510549777.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。这样，可以解决磁阻层的表层氧化问题，同时可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。
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公开(公告)号：CN104752155A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310742921.0
申请日：2013-12-30
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112097800B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010897275.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种360度磁角度传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其基于感测平面内的磁场产生表示磁角度的第一信号，所述第一信号具有180度的角范围；霍尔传感器，其基于所述感测平面内的磁场产生表示磁角度的第二信号，所述第二信号具有360度的角范围；信号处理电路，其与所述各向异性磁电阻传感器和霍尔传感器电性连接，其基于第二信号判断所述磁角度的所属区间，所属区间为0到180度或180到360度，并结合所述磁角度的所属区间和所述第一信号产生表示磁角度的第三信号，所述第三信号具有360度的角范围。与现有技术相比，本发明不但能实现360度范围内高精度的角度测量，而且还可以降低体积和成本。
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公开(公告)号：CN112097800A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010897275.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种360度磁角度传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其基于感测平面内的磁场产生表示磁角度的第一信号，所述第一信号具有180度的角范围；霍尔传感器，其基于所述感测平面内的磁场产生表示磁角度的第二信号，所述第二信号具有360度的角范围；信号处理电路，其与所述各向异性磁电阻传感器和霍尔传感器电性连接，其基于第二信号判断所述磁角度的所属区间，所属区间为0到180度或180到360度，并结合所述磁角度的所属区间和所述第一信号产生表示磁角度的第三信号，所述第三信号具有360度的角范围。与现有技术相比，本发明不但能实现360度范围内高精度的角度测量，而且还可以降低体积和成本。
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公开(公告)号：CN104752155B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310742921.0
申请日：2013-12-30
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。
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公开(公告)号：CN208521967U
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201820909444.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本实用新型可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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