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公开(公告)号：CN102738385B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110087325.4
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。
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公开(公告)号：CN102738385A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110087325.4
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117232B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110364933.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/10155
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行第一次凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间进行两次开槽，第一槽的宽度大于第二槽的宽度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片单元的厚度，并且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第一槽和第二槽内填充包覆材料；对晶圆背面进行包覆，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。
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公开(公告)号：CN103117232A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364933.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/10155
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行第一次凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间进行两次开槽，第一槽的宽度大于第二槽的宽度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片单元的厚度，并且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第一槽和第二槽内填充包覆材料；对晶圆背面进行包覆，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。
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公开(公告)号：CN103117231A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110363823.7
申请日：2011-11-16
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/10156
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽；往第一槽内填充包覆材料，填充后，第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐；在晶圆背面开设第二槽，第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度；往第二槽内填充包覆材料，填充后，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。
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公开(公告)号：CN103107098B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110359149.5
申请日：2011-11-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种方形扁平无引脚的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供晶圆和引线框架；对引线框架进行半刻蚀，在引线框架正面形成呈正态分布排列的引脚；减薄晶圆厚度到预定厚度，划片，获得芯片，在引线框架的小岛区域装入芯片，对芯片进行固化，再对装好芯片的引线框架进行清洗，以及引线键合；用塑封机进行塑封，并对引线框架中引脚与引脚之间通过半刻蚀步骤而形成的连筋进行湿法刻蚀，使得连筋断开，引脚与引脚之间分离，再进行清洗，清洗后进行电镀；在塑封体表面进行打标，再切割引线框架，形成单体封装产品。本发明通过改进I/O连接方式，有效提高单位封装表面积内的I/O端口，从而提高了相同封装表面积内的可集成度。
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公开(公告)号：CN103107098A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110359149.5
申请日：2011-11-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种先进方形扁平无引脚的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供晶圆、芯片和引线框架；对引线框架进行半刻蚀，晶圆正面形成正态分布排列的引脚；减薄晶圆厚度到预定厚度，划片，在引线框架的小岛区域装入芯片，对芯片进行固化，再对装好芯片的引线框架进行清洗，以及引线键合；用塑封机进行塑封，并对引线框架中引脚与引脚之间通过半刻蚀步骤而形成的连筋进行湿法刻蚀，使得连筋断开，引脚与引脚之间分离，再进行清洗，清洗后进行电镀；在塑封体表面进行打标，再切割引线框架，形成单体封装产品。本发明通过改进I/O连接方式，有效提高单位封装表面积内的I/O端口，从而提高了相同封装表面积内的可集成度。
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