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公开(公告)号：CN106865485A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510908759.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/015 , B81C1/00571 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81B7/02 , B81C1/00238 , B81C1/00388
Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。
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公开(公告)号：CN117319909A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202210805183.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电系统麦克风及其制造方法，其中该微机电系统麦克风包含：基板；相对于该基板而被支撑住的薄膜；贯穿该薄膜的整个厚度的开口；以及间隙壁，设置在该开口的侧壁上，其中，该间隙壁突出于该薄膜的顶面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106865485B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201510908759.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。
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公开(公告)号：CN111434604A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910031754.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构及其制作方法，该微机电系统结构包括：基材、介电层、振膜、背板以及掩膜。基材具有一个贯穿孔。介电层位于基材上，具有一个开口(cavity)与贯穿孔连通。振膜具有至少一个气孔，且嵌设于介电层中，并与介电层共同定义出一个与贯穿孔相互连通的第一腔室。背板位于介电层上。掩膜的一端嵌设于介电层中，另一端延伸进入开口中，并与振膜空间隔离，且与气孔至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN108946656A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710377577.8
申请日：2017-05-25
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00031 , B81C1/00214 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0742 , G03F7/004 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2053 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/02354 , H01L21/0273 , H01L21/0275 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14 , B81C1/00785
Abstract: 本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。
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公开(公告)号：CN118026085A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211512493.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电装置与用以制造其的方法。微机电装置包含基板、在基板上的聚合物膜、贯穿基板的空腔、以及在基板上且在聚合物膜中的多个线圈结构。聚合物膜具有面对基板的下表面。聚合物膜包含配置于下表面的波纹图案。聚合物膜的一部分暴露于空腔中。
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公开(公告)号：CN111434604B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910031754.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构及其制作方法，该微机电系统结构包括：基材、介电层、振膜、背板以及掩膜。基材具有一个贯穿孔。介电层位于基材上，具有一个开口(cavity)与贯穿孔连通。振膜具有至少一个气孔，且嵌设于介电层中，并与介电层共同定义出一个与贯穿孔相互连通的第一腔室。背板位于介电层上。掩膜的一端嵌设于介电层中，另一端延伸进入开口中，并与振膜空间隔离，且与气孔至少一部分重叠。
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