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公开(公告)号：CN106276772B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610465132.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , B81C2201/0188 , B81C2201/0198 , G04B13/02 , G04B13/026 , G04B13/027 , G04D99/00
Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。
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公开(公告)号：CN104053626A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280063151.0
申请日：2012-10-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02178 , B81B7/0032 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00595 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/053 , H01L21/0228
Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。
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公开(公告)号：CN103193193A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN1282597C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN02150667.1
申请日：2002-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李羲重
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0078 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/014
Abstract: 本发明提供了一种具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法。这种悬臂包括：一个衬底；一个形成于该衬底上的锚固件；和一块被连接在锚固件上同时保持与衬底的预定间隙的移动板，其中，所述锚固件包括有一个具有预定形状的第一锚固件和一个第二锚固件，该第二锚固件垂直于第一锚固件的一个边缘，并且沿所述移动板的纵轴成形。这种悬臂的形变量，比如由于制造过程中的高温高压导致的该悬臂的移动板的形变量明显减小。从而，这种悬臂的屈服率得以改善，并且采用这种悬臂的制品的可靠性也得以提高。
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公开(公告)号：CN1429762A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02150667.1
申请日：2002-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李羲重
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0078 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/014
Abstract: 本发明提供了一种具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法。这种悬臂包括：一个衬底；一个形成于该衬底上的锚固件；和一块被连接在锚固件上同时保持与衬底的预定间隙的移动板，其中，所述锚固件包括有一个具有预定形状的第一锚固件和一个第二锚固件，该第二锚固件垂直于第一锚固件的一个边缘，并且沿所述移动板的纵轴成形。这种悬臂的形变量，比如由于制造过程中的高温高压导致的该悬臂的移动板的形变量明显减小。从而，这种悬臂的屈服率得以改善，并且采用这种悬臂的制品的可靠性也得以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107055462A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611032419.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00873 , B81C2201/014 , B81C2201/056 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种微机电系统结构和其制造方法。所述方法包含以下操作。接收装置衬底，所述装置衬底具有彼此对置的第一表面和第二表面。接收载体衬底，所述载体衬底具有彼此对置的第三表面和第四表面。在所述载体衬底的所述第三表面与所述装置衬底的所述第二表面之间，形成中间层。将所述装置衬底的所述第二表面附接到所述载体衬底的所述第三表面。从所述第一表面薄化所述装置衬底。在所述装置衬底的所述第一表面上方，形成装置。从所述第四表面图案化所述载体衬底与所述装置衬底，以在所述载体衬底、所述中间层、以及所述装置衬底中，形成空腔。
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公开(公告)号：CN106865485A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510908759.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/015 , B81C1/00571 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81B7/02 , B81C1/00238 , B81C1/00388
Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。
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公开(公告)号：CN103420321B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310176308.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0075 , B81C1/00626 , B81C1/00674 , B81C2201/0112 , B81C2201/014 , B81C2203/0109
Abstract: 本发明涉及混合集成的构件和用于其制造的方法。本发明提出一种措施，通过该措施明显提高在实现构件（100）的MEMS结构元件（10）的微机械结构时的设计自由度，所述构件包括用于MEMS结构元件（10）的载体（20）和用于MEMS结构元件（10）的微机械结构的盖（30），其中，所述MEMS结构元件（10）通过托脚结构（21）装配在载体（20）上。根据本发明，所述MEMS结构元件（10）以层结构的形式实现并且所述MEMS结构元件（10）的微机械结构（11）延伸经过该层结构的至少两个功能层（3，5），所述至少两个功能层通过至少一个中间层（4）相互分开。
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公开(公告)号：CN106276779A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465128.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
Inventor： A·甘德尔曼
CPC classification number: G04D99/00 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , C23F1/00 , B81C1/00531 , B81B1/00
Abstract: 本发明涉及具有至少一个斜面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁博世”蚀刻，由此使得由微加工硅基片形成的部件能够有美学改进和改善的机械强度。
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公开(公告)号：CN106082103A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510735507.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周仲彥
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2203/0163 , B81B2207/012 , B81C1/00801 , B81C1/00952 , B81C2201/013 , B81C2201/014 , B81C2203/0792
Abstract: 提供了用于制造具有牺牲支撑件以防止粘滞的微机电系统(MEMS)结构的方法。实施至载体衬底的上表面内的第一蚀刻以在腔体中形成牺牲支撑件。实施热氧化工艺以氧化牺牲支撑件，并且以形成作为上表面的衬垫并且包括氧化的牺牲支撑件的氧化物层。通过氧化物层将位于载体衬底上方的MEMS衬底接合至载体衬底。实施至MEMS衬底内的第二蚀刻以形成位于腔体上面并且由氧化的牺牲支撑件支撑的可移动块。实施至氧化物层内的第三蚀刻以横向地蚀刻氧化的牺牲支撑件和以去除氧化的牺牲支撑件。也提供了具有抗粘滞凸块的MEMS结构。本发明实施例涉及防止湿清洗工艺之后的粘滞的微机电系统(MEMS)结构。
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