公开(公告)号：CN1795530B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200480014061.8

申请日：2004-05-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·贝克尼尔 ,  T·巴克利 ,  D·费利斯 ,  R·小皮利 ,  P·沙克希威尔 ,  A·史瑞伐斯塔伐 ,  C·华德费德

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30

Abstract: 一种等离子体装置、等离子体装置的各种构件以及无氧且无氮的方法，用于自含有碳及/或氢的低k介电层的基板有效移除光致抗蚀剂材料以及蚀刻后的残留物。

公开(公告)号：CN101053063A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037928.6

申请日：2005-09-01

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： D·费利斯 ,  P·哈摩 ,  A·贝克内尔

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/76814

Abstract: 一等离子体灰化方法，其用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将这些离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使这些离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

公开(公告)号：CN102610481A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210073651.4

申请日：2005-09-01

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： D·费利斯 ,  P·哈摩 ,  A·贝克内尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明涉及等离子体灰化方法，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将该等离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使该等离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。本发明还涉及一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

公开(公告)号：CN101053063B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200580037928.6

申请日：2005-09-01

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： D·费利斯 ,  P·哈摩 ,  A·贝克内尔

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/76814

Abstract: 一等离子体灰化方法，其用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将该等离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使该等离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

公开(公告)号：CN1795530A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014061.8

申请日：2004-05-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·贝克尼尔 ,  T·巴克利 ,  D·费利斯 ,  R·小皮利 ,  P·沙克希威尔 ,  A·史瑞伐斯塔伐 ,  C·华德费德

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30

Abstract: 一种等离子体装置、等离子体装置的各种构件以及无氧且无氮的方法，用于自含有碳及/或氢的低k介电层的基板有效移除光致抗蚀剂材料以及蚀刻后的残留物。