公开(公告)号：CN106133876A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016327.0

申请日：2015-03-18

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 谷垣勇刚 ,  藤原健典

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/023 ,  G03F7/075 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0272 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0057 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/427 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：在基板1上得到含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的工序；和在所述基板上形成离子杂质区域6的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在所述离子杂质区域的形成工序后，还包括于300～1,500℃对所述图案进行烧成的工序。由此，能够在半导体基板中形成离子杂质区域后将含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的固化膜无残渣地容易地除去，因此，能够提高半导体器件制造中的成品率、缩短节拍时间。

公开(公告)号：CN103472694B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310446586.X

申请日：2013-09-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 张治超 ,  郭总杰 ,  刘正

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/32 ,  G03F7/427 ,  G03F7/70058 ,  H01L21/3083 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明实施例公开了一种涉及显示技术领域，尤其涉及光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法，以解决现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体，增加了设备投入，提高了生产成本的问题。本发明实施例采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶；避免了现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体的问题，节约了设备成本，同时也降低了生产成本。

公开(公告)号：CN103155099B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180047420.X

申请日：2011-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  派崔克·M·马汀

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/50 ,  G03F7/405 ,  G03F7/427 ,  G03F7/7045 ,  G03F7/70875 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0273

Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。

公开(公告)号：CN104882364A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510147639.7

申请日：2015-03-31

Applicant: 山西南烨立碁光电有限公司

Inventor： 孟玲娟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/427

Abstract: 本发明克服了现有技术存在的不足，提供了一种能提高产品的良率、有效去除光阻的方法；为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种有效去除光阻的方法，按以下步骤实施：第一步：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；第二步：从去光阻液中取出水洗吹干；第三步：将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻；本发明可广泛应用于LED芯片领域。

公开(公告)号：CN104157566A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410412283.0

申请日：2014-08-20

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 荆泉 ,  高腾飞 ,  任昱 ,  吕煜坤 ,  朱骏 ,  张旭升

IPC: H01L21/3105 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427

Abstract: 本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括：对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。

公开(公告)号：CN103262221A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180060675.X

申请日：2011-12-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 吉田善明 ,  小风豊

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01B19/04 ,  G03F7/427 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供了能够抑制抗蚀剂残留物的介电器件的制造方法和灰化方法。在所述灰化方法中，将通过由有机材料形成的抗蚀剂掩模(6)用含氯气体或氟碳类气体的等离子体对表面进行刻蚀的基材配置在腔室内，在所述腔室内通过氧离子对所述抗蚀剂掩模(6)进行轰击处理，在所述腔室内通过氧自由基去除所述抗蚀剂掩模。根据所述灰化方法，通过氧离子进行的轰击处理，物理去除粘附于所述抗蚀剂掩模表面的刻蚀反应物。由此，可抑制由刻蚀反应物引起的抗蚀剂残留物的产生，可有效地从所述基材表面去除所述抗蚀剂掩模。

公开(公告)号：CN103155099A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180047420.X

申请日：2011-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  派崔克·M·马汀

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/50 ,  G03F7/405 ,  G03F7/427 ,  G03F7/7045 ,  G03F7/70875 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0273

Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。

公开(公告)号：CN101925984A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103460.4

申请日：2009-01-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 肖恩·S·康 ,  赵相俊 ,  托马斯·S·蔡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808

Abstract: 提供一种在置于图案化有机掩模下方的多孔低k电介质层中形成特征的方法。将特征穿过该图案化有机掩模蚀刻到该多孔低k电介质层中，然后剥离该图案化有机掩模。该图案化有机掩模的剥离包括提供包含COS的剥离气体、从该剥离气体形成等离子体以及停止该剥离气体。帽层被提供在该多孔低k电介质层和该图案化有机掩模之间。该图案化有机掩模的剥离在该多孔低k电介质层上留下该帽层。

公开(公告)号：CN101131547B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710145210.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金怡政 ,  徐庚进 ,  尹沧老 ,  赵重根

IPC: G03F7/42 ,  H05H1/24

CPC classification number: B08B7/0035 ,  G03F7/422 ,  G03F7/427 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6708

Abstract: 一种用于除去基材上的光致抗蚀剂的基材处理设备，其包括：支撑部，用于支撑基材；干式处理部，用于除去基材上的光致抗蚀剂；以及湿式处理部，用于除去基材上的光致抗蚀剂。在基材被支撑部支撑时，借助于干式处理部初次除去基材上的光致抗蚀剂，借助于湿式处理部进行第二次除去。该干式处理部包括用于将等离子体供应到基材上的等离子体供应单元以及改变等离子体供应单元和基材的相对位置的移动单元。

公开(公告)号：CN101598876A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200810187270.2

申请日：2008-12-19

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 金锡垣 ,  扈源俊 ,  权赫振 ,  柳昌模

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/40 ,  G03F7/40 ,  G03F7/427 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法包括：在金属材料层上形成初始光致抗蚀剂(PR)图案；使用初始PR图案作为蚀刻掩模蚀刻金属材料层，以形成数据线和金属材料图案，其中，初始PR图案处于数据线上；在初始PR图案上执行第一灰化处理，以部分去除初始PR图案，从而形成第一灰化PR图案，第一灰化PR图案具有比初始PR图案更小的宽度和更小的厚度，使得通过第一灰化PR图案暴露出数据线的端部；通过第一干蚀刻处理蚀刻本征非晶硅层和掺杂质非晶硅层；在基板上形成源极和漏极。