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公开(公告)号:CN112514091A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201980050633.4
申请日:2019-07-29
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 所公开的磁阻设备(200)包括位于隧道势垒区域(230)的相对侧的磁性固定区域(214、240)和磁性自由区域(250)。至少第一过渡区域(220)和第二过渡区域(221)位于磁性固定区域和隧道势垒区域之间。第一过渡区域包括非铁磁过渡金属,优选为纯Ta,并且第二过渡区域包括包含铁和硼的合金,优选为具有50at%的硼的FeB。