公开(公告)号：CN106848058B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201710077081.9

申请日：2012-06-07

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐 ,  孙吉军 ,  F·曼考夫 ,  D·豪撒梅迪恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

公开(公告)号：CN104538061B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201410262401.4

申请日：2014-06-12

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： J·斯劳特 ,  D·豪撒梅迪恩 ,  T·安德烈 ,  S·M·阿拉姆

IPC: G11C29/44

Abstract: 提供了一种用于对使用破坏性读取，包括例如MRAM中的自旋扭矩比特的自参照读取，和选择性写回的磁存储器修复复位错误的方法。通过以下之一来使存储器单元为写回作准备：利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并且对于被确定为发生错误的那些存储器单元将反转比特反转；利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并将存储器单元的一部分复位到第一状态；以及将一个或多个存储器单元复位到第一状态。

公开(公告)号：CN103988311A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280060497.5

申请日：2012-10-31

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 刘连军 ,  P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: H01L29/82

CPC classification number: G01R33/0029 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/04 ,  G01R33/098

Abstract: 确定复位电流脉冲和第二稳定电流的至少一个的幅度和方向(它分别产生复位场和第二稳定场)，当施加到磁感测元件的阵列时，在磁传感器的运行和外部场的测量期间，使总的所需的稳定场和复位场最小化。所以弱场传感器在固定的外部场运行点周围最佳地运行(具有最高的灵敏度和最低的功耗)。固定的外部场由传感器器件外壳中的其他组件(比如扬声器磁铁)产生，关于描述方位信息的弱(地球)磁场它们具有强而且是静态的场。

公开(公告)号：CN102057487B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200980121423.6

申请日：2009-05-08

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： B·恩格尔 ,  P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01F41/30 ,  H01F41/34 ,  H01F10/32

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/304 ,  H01F41/308 ,  H01L27/22

Abstract: 一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置(201、211)提供了高性能磁场传感器(200)，其仅需要通过单个参考层(60)形成的两个不同的钉扎轴(206、216)，该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状(62、63)，其长轴是按不同的取向绘制的，从而在通过适当对准的饱和场(90)对参考层进行处理并且随后移除饱和场之后，高纵横比的图案提供了迫使每个构图形状(62、63)的磁化沿其各自的所期望的轴弛豫的形状各向异性。在加热和冷却之后，铁磁膜被钉扎在不同的所期望的方向上。

公开(公告)号：CN102763215A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080063177.6

申请日：2010-12-21

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： J·斯劳特 ,  P·马瑟

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L27/22 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14

Abstract: 在电路板（300、700）或第二集成电路（706）上安装第一集成电路（102、500、704）的方法，该第一集成电路（102、500、704）形成在衬底（104）之上且具有背对衬底（104）的表面（119）以及与表面（119）基本正交的侧面（122、530、930），并包括耦接到电路（102、500、704）且形成在电介质材料（120、518）中的导电元件（116、117、118、522、524、526、528、528'、528"），该电路板或该第二集成电路包括接触点（304、306、314），该方法包括切割（1104）该第一集成电路以在侧面（222、630、1030）上暴露导电元件（116、117、118、522、524、526、528、528'、528"），以及通过对准暴露于该侧面的导电元件以产生电接触，将该第一集成电路安装（1108）在电路板或第二集成电路上。

公开(公告)号：CN102292773A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005490.4

申请日：2010-09-27

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： P·马瑟 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐

IPC: G11C5/12

CPC classification number: H01L27/22 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01L43/08

Abstract: 三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。

公开(公告)号：CN106848058A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710077081.9

申请日：2012-06-07

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： R·韦格 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐 ,  孙吉军 ,  F·曼考夫 ,  D·豪撒梅迪恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

公开(公告)号：CN106716374A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580051642.7

申请日：2015-09-29

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： T·安德烈 ,  J·斯劳特 ,  D·豪撒梅迪恩 ,  S·M·阿拉姆

IPC: G06F11/10

Abstract: 在一些示例中，存储器设备可以被配置为至少部分基于与一个或多个短路位单元相关联的状态来以原始状态或反转状态存储数据。例如，存储器设备可以被配置为识别在存储器阵列内的短路位单元并将数据存储于存储器阵列中，使得存储于短路位单元内的数据位的状态与和短路位单元相关联的状态相匹配。

公开(公告)号：CN103081008B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC: G11B5/33

CPC classification number: H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。

公开(公告)号：CN102292773B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080005490.4

申请日：2010-09-27

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： P·马瑟 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐

IPC: G11C5/12

CPC classification number: H01L27/22 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01L43/08

Abstract: 三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。