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公开(公告)号：CN112514091A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050633.4
申请日：2019-07-29
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 所公开的磁阻设备(200)包括位于隧道势垒区域(230)的相对侧的磁性固定区域(214、240)和磁性自由区域(250)。至少第一过渡区域(220)和第二过渡区域(221)位于磁性固定区域和隧道势垒区域之间。第一过渡区域包括非铁磁过渡金属，优选为纯Ta，并且第二过渡区域包括包含铁和硼的合金，优选为具有50at％的硼的FeB。
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公开(公告)号：CN106848058B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710077081.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN102918413B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180024124.8
申请日：2011-03-29
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN103081008A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042042.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/33
CPC classification number: H01L43/10 , G01R33/098 , H01L43/12 , Y10T29/49117
Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。
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公开(公告)号：CN113039658A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075580.1
申请日：2019-11-15
Applicant: 艾沃思宾技术公司
Abstract: 磁阻堆叠/结构及其制造方法，包括其中堆叠/结构包括晶种区域、布置在晶种区域上并与之接触的固定磁性区域、布置在固定磁性区域上的(一个或多个)介电层以及布置在(一个或多个)介电层上的自由磁性区域。在一个实施例中，晶种区域包括包含镍和铬的合金，该合金具有(i)大于或等于(+/‑10％)且小于或等于(+/‑10％)的厚度，并且(ii)铬的材料组成或含量在25‑60原子百分比(+/‑10％)或30‑50原子百分比(+/‑10％)的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106848058A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710077081.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN103081008B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180042042.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/33
CPC classification number: H01L43/10 , G01R33/098 , H01L43/12 , Y10T29/49117
Abstract: 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。
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公开(公告)号：CN103608861B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280028432.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN103608861A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028432.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。
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公开(公告)号：CN102918413A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180024124.8
申请日：2011-03-29
Applicant: 艾沃思宾技术公司
IPC: G01R33/02
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y25/00 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉积和蚀刻步骤。
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