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公开(公告)号：CN1948418B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200610141662.6
申请日：2006-10-09
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C03C19/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN1782013B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510125382.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及半导体基板用研磨液组合物，其含有选自丝氨酸、半胱氨酸和二羟基乙基甘氨酸之中的至少1种的氨基酸、二氧化铈粒子和水性介质；涉及半导体基板的研磨方法，其具有使用该研磨液组合物研磨半导体基板的工序；还涉及半导体装置的制造方法，其具有如下工序，该工序是在所述研磨液组合物的存在下，在表面形成有包含硅且具有凹凸形状的膜的半导体基板上，以5～100kPa的研磨载荷按压研磨垫来进行研磨。
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公开(公告)号：CN1782013A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125382.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及半导体基板用研磨液组合物，其含有选自丝氨酸、半胱氨酸和二羟基乙基甘氨酸之中的至少1种的氨基酸、二氧化铈粒子和水性介质；涉及半导体基板的研磨方法，其具有使用该研磨液组合物研磨半导体基板的工序；还涉及半导体装置的制造方法，其具有如下工序，该工序是在所述研磨液组合物的存在下，在表面形成有包含硅且具有凹凸形状的膜的半导体基板上，以5～100kPa的研磨载荷按压研磨垫来进行研磨。
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公开(公告)号：CN101568615A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047959.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B7/241 , B24B37/044 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/304 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1948418A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610141662.6
申请日：2006-10-09
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C03C19/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN101568615B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200780047959.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B7/241 , B24B37/044 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/304 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。
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公开(公告)号：CN1986612B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200610169045.7
申请日：2006-12-19
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供了玻璃基板用研磨液组合物以及使用该研磨液组合物的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板用研磨液组合物含有一次粒子的平均粒径为5～50nm的二氧化硅和重均分子量为1000～5000的丙烯酸/磺酸共聚物，该研磨液组合物的pH为0.5～5。玻璃基板用研磨液组合物适用于例如玻璃硬盘、强化玻璃基板用的铝硅酸盐玻璃以及玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)、合成石英玻璃基板(光掩模基板)等的制造。
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公开(公告)号：CN1986612A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169045.7
申请日：2006-12-19
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供了玻璃基板用研磨液组合物以及使用该研磨液组合物的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板用研磨液组合物含有一次粒子的平均粒径为5～50nm的二氧化硅和重均分子量为1000～5000的丙烯酸/磺酸共聚物，该研磨液组合物的pH为0.5～5。玻璃基板用研磨液组合物适用于例如玻璃硬盘、强化玻璃基板用的铝硅酸盐玻璃以及玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)、合成石英玻璃基板(光掩模基板)等的制造。
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