公开(公告)号：CN119666776A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411414668.0

申请日：2024-10-11

Applicant: 苏州恒影感知科技有限公司

Inventor： 王程 ,  李子晔 ,  李昕 ,  孙克强 ,  朱袁畅

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/01 ,  G01N21/25 ,  G01M3/02 ,  G01M3/04 ,  G01M3/16 ,  G01N27/00 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器，包括焦平面阵列，焦平面阵列包括多个独立的光敏像元，焦平面阵列和读出电路相连形成红外焦平面探测器组件，光敏像元包括GaSb衬底，在GaSb衬底上依次设置的GaSb缓冲层、n InAsSb缓冲层、n型下欧姆接触层、n型InAs/GaSb本征二类超晶格光吸收层、AlGaAsSb阻挡层和n型上欧姆接触层；各层外延材料部分区域刻蚀到底部n型接触层形成底部电极窗口，部分区域刻蚀到顶部n型接触层形成顶部电极窗口；n型上欧姆接触层上制备有Au纳米阵列作为等离激元结构；底部电极窗口上沉积制备有底部环形电极，顶部电极窗口处沉积制备有顶部电极，可精准高效的对SF6气体进行非接触、实时远距离监测，快速、准确地查找SF6气体的泄漏点。

公开(公告)号：CN119947312A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411969661.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 苏州恒影感知科技有限公司

Inventor： 李子晔 ,  王程 ,  董德义 ,  姜亚梅 ,  孙克强 ,  朱袁畅

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明涉及红外成像传感器，特别涉及一种双n型结构外延片，包括吸收层、第一接触层和设置于吸收层和第一接触层之间的势垒层。吸收层、势垒层和第一接触层均由相同材料组成的二类超晶格材料构造。第一接触层为n型半导体，吸收层和势垒层为非故意掺杂的半导体。吸收层和第一接触层的循环周期相同，且吸收层和势垒层的循环周期不同。以二类超晶格材料构造势垒层，使势垒层不易发生损伤，有助于降低探测器的工艺难度。以材料组成相同的二类超晶格材料分别构造吸收层和势垒层，并调整材料内的循环周期，使势垒层和吸收层之间的界面处具有较小的价带偏移和相对较大的导带偏移，从而抑制暗电流的产生，提高双n型结构外延片的性能。

公开(公告)号：CN119403269A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411512054.6

申请日：2024-10-28

Applicant: 苏州恒影感知科技有限公司

Inventor： 王程 ,  李子晔 ,  李昕 ,  孙克强 ,  朱袁畅

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/30 ,  H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F30/21 ,  H10F30/22

Abstract: 本发明公开了双波红外探测器制备方法和双波红外段探测器，包括提供GaSb衬底；在GaSb衬底上顺序生长底部接触层、中波吸收层、势垒层、长波吸收层，以及顶部接触层；在顶部接触层表面一次沉积钝化层，并从吸收层到顶部接触层进行一次蚀刻；覆盖式进行二次沉积钝化层，并从顶部接触层到底部接触层进行二次蚀刻；覆盖式进行三次沉积钝化层；在台面及公共电极区的钝化层均进行开孔，开孔处蒸镀UBM金属TiPtAu，制成探测器芯片；最大限度地减少吸收层表面的等离子体暴露时间；将探测器芯片与读出电路In柱互联制成探测器，制备的探测器可以用单个探测器获取中波红外和长波红外图像信息，具有出色的探测、识别和鉴别能力。