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公开(公告)号：CN119400717A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411537012.8
申请日：2024-10-31
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/528 , H01L23/488
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆级封装方法及芯片结构，晶圆级封装方法包括步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括绝缘介质层以及设置于绝缘介质层内的金属互联层；在第一晶圆和/或第二晶圆制作外溢空腔；键合连接第一晶圆和第二晶圆，形成晶圆级封装结构，晶圆级封装结构包括位于所述第一晶圆和第二晶圆之间的键合层，至少部分键合层外溢至外溢空腔；沿着切割区域切割晶圆级封装结构，所述外溢空腔避让所述切割区域的外侧缘；如此，刀头切割时的外侧缘不会碰到空腔，晶圆级封装结构提供较好的支撑性，不易破裂受损。
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