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公开(公告)号：CN112885793A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110270310.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。
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公开(公告)号：CN111370375B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010207973.8
申请日：2020-03-23
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/78
Abstract: 本发明揭示了一种封装结构、半导体器件和封装方法，该封装结构包括：芯片单元，包括衬底以及位于衬底表面的客户层，定义所述客户层背离所述衬底的表面为第一表面，所述衬底背离所述客户层的表面为第二表面，所述客户层内形成有焊垫；焊接凸起，形成于芯片单元的第二表面；金属布线层，电性连接于所述焊垫和焊接凸起之间；绝缘层，形成于所述金属布线层和芯片单元之间，所述绝缘层包括依次形成于所述芯片单元表面的二氧化硅层和Si3N4层。本发明封装结构的绝缘层采用SiO2+Si3N4+环氧树脂三层结构，通过该种结构，不仅可以大大提高湿气的隔绝效果，且本身抗应力强度也大大提高。
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公开(公告)号：CN113524473B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110777073.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光学基板的切割方法，该光学基板包括透明基板以及在透明基板表面构成有凹坑的光学材料，所述方法包括：s1、在所述凹坑内填充硬化的过渡衬底材料，该过渡衬底材料在特定条件下可转化为液态；s2、采用刀片对透明基板进行切割，形成多个基板单粒；s3、使所述过渡衬底材料转化液态，剥离所述的过渡衬底材料。本发明选用在固态时具备一定的硬度，且在一定条件下可以转变为液态的过渡衬底材料，该材料在流体状态可以填附产品背面的凹坑，不会产生气泡；在固体状态支撑效果好，对于切割崩边有较好的品质保证。
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公开(公告)号：CN113524473A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110777073.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光学基板的切割方法，该光学基板包括透明基板以及在透明基板表面构成有凹坑的光学材料，所述方法包括：s1、在所述凹坑内填充硬化的过渡衬底材料，该过渡衬底材料在特定条件下可转化为液态；s2、采用刀片对透明基板进行切割，形成多个基板单粒；s3、使所述过渡衬底材料转化液态，剥离所述的过渡衬底材料。本发明选用在固态时具备一定的硬度，且在一定条件下可以转变为液态的过渡衬底材料，该材料在流体状态可以填附产品背面的凹坑，不会产生气泡；在固体状态支撑效果好，对于切割崩边有较好的品质保证。
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公开(公告)号：CN102738089B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201210058206.0
申请日：2012-03-07
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种封装结构，包括：一侧形成有光学电子器件的芯片，以及覆盖所述芯片的基板；所述芯片与基板之间设有主间隔件，其特征在于，所述芯片与基板之间还设有位于所述光学电子器件与主间隔件之间的至少一层次间隔件。与现有技术相比，本发明通过在所述光学电子器件和主间隔件之间设置次间隔件，以防止因芯片尺寸过大造成芯片受力开裂问题，并且避免了因间隔件过于加宽而造成的涂胶不均问题，从而提升芯片封装质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738089A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210058206.0
申请日：2012-03-07
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种封装结构，包括：一侧形成有光学电子器件的芯片，以及覆盖所述芯片的基板；所述芯片与基板之间设有主间隔件，其特征在于，所述芯片与基板之间还设有位于所述光学电子器件与主间隔件之间的至少一层次间隔件。与现有技术相比，本发明通过在所述光学电子器件和主间隔件之间设置次间隔件，以防止因芯片尺寸过大造成芯片受力开裂问题，并且避免了因间隔件过于加宽而造成的涂胶不均问题，从而提升芯片封装质量。
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公开(公告)号：CN119400717A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411537012.8
申请日：2024-10-31
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/528 , H01L23/488
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆级封装方法及芯片结构，晶圆级封装方法包括步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括绝缘介质层以及设置于绝缘介质层内的金属互联层；在第一晶圆和/或第二晶圆制作外溢空腔；键合连接第一晶圆和第二晶圆，形成晶圆级封装结构，晶圆级封装结构包括位于所述第一晶圆和第二晶圆之间的键合层，至少部分键合层外溢至外溢空腔；沿着切割区域切割晶圆级封装结构，所述外溢空腔避让所述切割区域的外侧缘；如此，刀头切割时的外侧缘不会碰到空腔，晶圆级封装结构提供较好的支撑性，不易破裂受损。
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公开(公告)号：CN107833860B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201711013280.X
申请日：2017-10-26
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法，该封装方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括多个功能区域，所述功能区域之间具有切割沟道；在所述第二表面形成互联结构，所述互联结构用于和外部电路连接；在所述第一表面的所述功能区域内形成功能结构以及第一焊垫；所述功能结构与所述第一焊垫连接，所述第一焊垫与所述互联结构连接；基于所述切割沟道对所述晶圆进行切割，形成多个单粒的芯片。本发明技术方案所述封装方法中，首先完成晶圆第二表面的的互联结构，然后再进行晶圆第一表面不耐高温的功能结构的制作，从而避免形成互联结构时候的高温工艺对功能结构的不利影响，保证了芯片的性能。
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公开(公告)号：CN106098668A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610663290.7
申请日：2016-08-15
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L2224/03013 , H01L2224/036 , H01L2224/061
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片封装结构以及封装方法，封装结构包括：半导体芯片，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；焊垫，位于所述第一表面侧或者所述第二表面侧；金属布线层，铺设于所述第二表面侧，用于将焊垫的电性导出；阻焊层，铺设于所述金属布线层上，所述阻焊层上具有开孔，所述开孔底部暴露所述金属布线层；焊接凸起，设置于所述开孔中，且所述焊接凸起与所述金属布线层电性连接；所述阻焊层上具有开口，所述开口避开所述阻焊层上对应所述金属布线层的区域。通过在阻焊层上设置开口，有效释放阻焊层在冷热冲击测试(TCT)时产生的应力，消除了阻焊层以及金属布线层分层、开裂的情况。
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公开(公告)号：CN112885793B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202110270310.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。
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