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公开(公告)号：CN118482841A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410300631.9
申请日：2024-03-15
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器包括硅应变膜片，所述硅应变膜片自上而下依次形成有十字梁、应变膜和背腔，所述十字梁将所述硅应变膜片分割出四个对称布置的镂空部，所述镂空部呈花瓣状，所述十字梁的四个端部分别设有压敏电阻，所述压敏电阻之间形成惠斯通电桥，所述十字梁上设有凹槽。本公开的压力传感器，其应变膜的十字梁上设有凹槽，凹槽可以增大十字梁的变形挠度，从而增大十字梁的四个端部处的压敏电阻的集中应力，进而提高压力传感器的灵敏度。花瓣状镂空部可以增大其下方的应变膜露出的面积，应变膜与外界压力接触面积越大，应变膜的变形挠度越大，进一步提高压力传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118255319A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410300630.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种压力传感器及提高压力传感器工作温度的制备方法，制备方法包括以下步骤：在硅衬底的表面生长二氧化硅层；对硅衬底的正面进行光刻和离子注入，形成压敏电阻；采用ICP深硅刻蚀工艺，刻蚀掉压敏电阻周侧的硅衬底及二氧化硅层；在硅衬底的正面进行光刻和离子注入，形成重掺杂接触区；在硅衬底的正面制作金属引线和金属焊块；在硅衬底的背面刻蚀背腔和质量块；将硅衬底的背面与玻璃基座键合。在硅衬底的正面形成压敏电阻后，将压敏电阻周围的硅衬底材料刻蚀掉，同时将压敏电阻周围的硅衬底对应的二氧化硅层刻蚀掉，以减少压敏电阻与硅衬底的接触面积，从而减少PN接漏电的情况，达到提高压力传感器的工作温度的目的。
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公开(公告)号：CN119911869A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510096471.5
申请日：2025-01-21
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种高可靠性压力传感器制备方法及压力传感器，方法包括：衬底；在衬底的正面形成氧化层；采用刻蚀工艺在氧化层上图案化刻蚀形成暴露衬底正面的空腔，以及质量块；在质量块表面形成覆盖质量块和空腔的器件层；对器件层的正面进行离子注入，以形成对应于质量块的压敏电阻；在器件层的正面形成覆盖器件层和压敏电阻的多晶硅层，多晶硅层具有对应于压敏电阻的压敏区；对多晶硅层进行刻蚀，在压敏区周侧形成暴露器件层表面的接触孔；在接触孔内形成金属引线；采用电感耦合等离子体刻蚀工艺对衬底的背面进行背刻蚀，并停止于质量块和器件层，形成与空腔连通并用于进压的背腔；采用键合工艺将具有凹槽的玻璃片键合于压敏区完成制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118255682A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410274538.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
IPC: C07C231/02 , C09J4/02 , C07C233/49 , H01L23/29
Abstract: 本公开提供一种粘接功能单体及其制备方法、应用，属于半导体封装技术领域。制备方法包括：在预设温度通氮气条件下，在缓冲溶液中加入多巴单体，搅拌后滴入含有MAA的THF混合溶液和碱溶液，调节溶液为第一pH值，搅拌反应形成浆体；对浆体过滤，将滤液调整至第二pH值，经搅拌、萃取、浓缩处理，得到浓缩液；浓缩液经沉淀、过滤、干燥处理，得到具有多巴结构与碳碳双键的粘结功能单体，该粘结功能单体能够在水下或潮湿环境中牢固地粘附在无机物表面、金属材料表面、玻璃、陶瓷、橡胶、塑料、涂料、以及聚四氟乙烯材料的表面，在各种材料表面均具有良好的粘附效果，且该合成方法得到的粘结单体无毒性，满足半导体封装的应用需求。
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公开(公告)号：CN119268918A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411632280.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅谐振压力传感器，包括感压层、谐振层和玻璃层；所述感压层靠近所述谐振层的一侧设置有第一感压槽，第一感压槽内相对的两侧均设置有一个硅岛；谐振层包括盖板、质量块、弹性件、谐振主梁、谐振副梁、固定梳齿和活动梳齿；所述盖板盖设于所述硅岛；所述质量块的两端分别通过弹性件与两个所述盖板连接，所述质量块上设置有多个通孔，多个所述通孔形成蜂窝巢结构；所述谐振主梁的两端分别连接两个所述盖板，所述谐振副梁远离所述谐振主梁的一端连接有活动梳齿，所述固定梳齿与所述活动梳齿相互配合并构成静电梳齿对。本发明的一个技术效果在于，能够降低温度漂移，从而保证硅谐振压力传感器测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN119911870A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510096543.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种高可靠性压力传感器制备方法及压力传感器，方法包括：提供P型硅衬底；采用外延工艺，在P型硅衬底的正面生长形成N型硅层；在N型硅层背离P型硅衬底的表面形成隔离层；采用外延工艺，在隔离层背离P型硅衬底的表面形成N型硅压阻层，N型硅压阻层具有压敏区；对N型硅压阻层进行蚀刻，在压敏区形成压敏电阻条，以及硅导线；在压敏电阻条表面形成覆盖压敏电阻条和硅导线的保护层；对保护层进行刻蚀，形成暴露硅导线的接触孔；在接触孔内形成与硅导线电连接的引线焊盘；在P型硅衬底的背面形成与压敏区位置对应的背腔；提供硅基底，并将硅基底键合于P型硅衬底的背面，以封装背腔；在硅基底上形成连通背腔的表压孔。
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公开(公告)号：CN119533753A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411885669.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅谐振压力传感器，包括感压层、器件层和衬底层；所述感压层设置于所述器件层的一侧；所述感压层上设置有压力膜；所述器件层的设置有第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器和所述第二谐振器偏心设置于所述器件层的相对两侧；所述第一谐振器和所述第二谐振器分别连接有应力传递块；所述应力传递块与所述压力膜连接；所述第一谐振器和第二谐振器均包括对称的两组谐振单元，每组所述谐振单元均包括主梁、连接梁、第一副梁和第二副梁，所述第一副梁和所述第二副梁均通过所述连接梁与所述主梁连接。本发明的一个技术效果在于，能够减小温度对于硅谐振压力传感器的谐振频率的影响，大大提高了其产品稳定性、精度、使用寿命等。
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公开(公告)号：CN119124412A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411275406.0
申请日：2024-09-12
Applicant: 苏州紫芯微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种低温漂MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，压力传感器包括第一衬底、第二衬底、第一结构层、第二结构层和压敏电阻条；所述第一衬底的下表面设置有第一凹槽，所述第二衬底固定于所述第一衬底并封闭所述第一凹槽；所述第一凹槽的底面周边设置环状的第二凹槽；所述第一衬底的上表面的中部设置有第三凹槽；所述第三凹槽内设置所述第一结构层，所述第二凹槽内设置所述第二结构层；所述第一结构层和第二结构层的材质均为金属；所述第一衬底的上表面环绕所述第一结构层设置有多个压敏电阻条，且多个所述压敏电阻条均与所述第二结构层相对应。本发明的一个技术效果在于，显著提升压力传感器的灵敏度与可靠性。
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