-
公开(公告)号：CN105356016A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510795101.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种波导滤波器，包括上层陶瓷模组、中层陶瓷块模组和下层陶瓷模组；其中上层陶瓷模组包括至少一个上层陶瓷块，上层陶瓷块上设有至少一个凹槽和至少两个通孔，该凹槽将该上层陶瓷块分隔形成多个谐振孔；中层陶瓷块模组包括多个陶瓷块，其中至少一个陶瓷块上设有通孔；下层陶瓷模组包括至少一个下层陶瓷块，该下层陶瓷块上设有至少一个凹槽和通孔，该凹槽将该下层陶瓷块分隔形成多个谐振孔；上层陶瓷块上的凹槽和通孔与下层陶瓷块上的凹槽和通孔相匹配。其提供了一种新型的产生notch现象的方法，且通过调整陶瓷块的方式可调节notch的位置，在原有技术上减小了产品体积。
-
公开(公告)号：CN106129548A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610541197.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷波导滤波器，其包括上、下叠置的且表面均覆盖有导电性物质的第一区与第二区。第一区包括依次相接的至少三个谐振器一，第二区包括依次相接的且与至少三个谐振器一相对应的至少三个谐振器二。同一区上的相邻两个谐振器的相接处的相对两侧上均设置有一个凹槽。第一区的一端上的谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在偏离自身谐振器一的中央区域上设置有主耦合部一。第一区上位于中间区域的其中一个谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在自身谐振器一的中央上设置有辅助耦合部一。第二区上设置有与主耦合部一、辅助耦合部一一一对应的且能相互耦合连接的主耦合部二、辅助耦合部二。
-
公开(公告)号：CN206574827U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201520920054.X
申请日：2015-11-18
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本实用新型公开了一种波导滤波器，包括上层陶瓷模组、中层陶瓷块模组和下层陶瓷模组；其中上层陶瓷模组包括至少一个上层陶瓷块，所述上层陶瓷块上设有三个凹槽和至少两个通孔，该凹槽将该上层陶瓷块分隔形成三个谐振孔；中层陶瓷块模组包括多个陶瓷块，其中至少一个陶瓷块上设有通孔；下层陶瓷模组包括至少一个下层陶瓷块，该下层陶瓷块上设有三个凹槽和通孔，该凹槽将该下层陶瓷块分隔形成三个谐振孔；上层陶瓷块上的凹槽和通孔与下层陶瓷块上的凹槽和通孔相匹配。其提供了一种新型的产生notch现象的方法，且通过调整陶瓷块的方式可调节notch的位置，在原有技术上减小了产品体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN205828609U
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201620724233.0
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷波导滤波器，其包括上、下叠置的且表面均覆盖有导电性物质的第一区与第二区。第一区包括依次相接的至少三个谐振器一，第二区包括依次相接的且与至少三个谐振器一相对应的至少三个谐振器二。同一区上的相邻两个谐振器的相接处的相对两侧上均设置有一个凹槽。第一区的一端上的谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在偏离自身谐振器一的中央区域上设置有主耦合部一。第一区上位于中间区域的其中一个谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在自身谐振器一的中央上设置有辅助耦合部一。第二区上设置有与主耦合部一、辅助耦合部一一一对应的且能相互耦合连接的主耦合部二、辅助耦合部二。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.032 seconds)
