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公开(公告)号：CN113937493B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111287647.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种低频辐射单元及天线阵列，该低频辐射单元包括馈电装置、巴伦支撑装置及一对相互正交的半波振子，正交的半波振子的辐射面位于同一平面，每一半波振子包括两个辐射臂，辐射臂内侧设有多个开路枝节，辐射臂的顶端设有匹配谐振器，巴伦支撑装置包括馈电传输线，巴伦支撑装置的一端与馈电装置连接，巴伦支撑装置的另一端与正交的半波振子连接，馈电传输线将正交的半波振子与馈电装置电连接。本申请能够使辐射体具有较高的辐射带宽及滤波带宽，从而有效降低低频辐射单元对高频辐射性能的影响，在嵌套融合组阵时，保障天线性能，同时还可以有效减小天线的电尺寸。
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公开(公告)号：CN113540739A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010288197.9
申请日：2020-04-14
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PCB板免打孔的陶瓷波导负耦合结构，包括陶瓷介质谐振器，所述陶瓷介质谐振器的顶端开设有两个调试孔，所述陶瓷介质谐振器的内部开设有耦合通孔，所述耦合通孔位于两个调试孔之间，所述耦合通孔自上而下分为第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔，所述第二负耦合孔与第三负耦合孔的连接处设有去银层。在安装陶瓷波导滤波器时，由于本发明的第三负耦合孔和第二负耦合孔的连接处设置有圆形的去银层，使得无需在PCB板上进行打孔，解决了去铜无避让问题，降低了生产成本，本发明通过设置阶梯状的第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力。
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公开(公告)号：CN112552033A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011449715.7
申请日：2020-12-11
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Inventor： 朴灿映
IPC: C04B35/195 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01P1/20 , H01P7/10 , H01P3/16
Abstract: 本发明公开了一种高品质微波介质陶瓷及其制备方法和应用，该高品质微波介质陶瓷的组成表达式为(Mg1‑xNix)2Al4Si5O18，其中，x代表摩尔比，且x＝0.1～0.5。本发明还公开了一种高品质微波介质陶瓷粉。本发明的微波介质陶瓷粉中的氧化镍粉末代替了部分量的氧化镁粉末，并与其他粉末配合，可以获得具有(Mg1‑xNix)2Al4Si5O18结构的微波介质陶瓷；该结构的微波介质陶瓷中的Ni取代部分Mg，从而提高了微波介质陶瓷的品质因数，应用于微波元器件后可以减少微波元器件的损耗，改善微波元器件的电性能。
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公开(公告)号：CN112521149A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011415029.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Inventor： 车漢率
IPC: C04B35/50 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法和应用，该微波介质陶瓷的组成表达式为Ba6‑3x(La1‑y‑zSmyBiz)8+2xTi18O54，其中，x、y、z分别代表摩尔比，且x＝2/3，y＝0.7，z＝0.05～0.075。本发明还公开了一种高Q值微波介质陶瓷粉。本发明的微波介质陶瓷不含有Nd元素，生产成本低，且介电常数为90左右，可满足基站建设等所需微波元器件的使用要求，其具有近零的谐振频率温度系数，温度稳定性好，又具有较高的品质因数(Q×f)，具有较优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN111517758A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910108859.7
申请日：2019-02-03
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷粉及其制备方法、及其应用，微波介质陶瓷发包括以下原料按照重量份制备而成的陶瓷粉末：碳酸锶35‑45份、氧化钛15‑25份、氧化镧25‑35份、氧化铝5‑15份、氧化铈0.1‑0.2份、以及氧化锰0.008‑0.02份。本发明制备的微波介质陶瓷粉为介电常数40的高QxFo[陶瓷品质因素]值、低损耗的微波介质材料，能显著改善微波元器件如腔体滤波器的电性能，特别是降低滤波器的插入损耗，获得更稳定的温度系数，以减少滤波器在实际使用中因使用环境因素对滤波器所造成的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104446477B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410745880.5
申请日：2014-12-08
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件。该微波介质陶瓷粉包括重量比为200︰120︰1.0︰10.7︰1.0︰10.0︰2.0的粉末、去离子纯净水、分散剂、聚乙烯醇胶水、聚乙二醇可塑剂、聚乙二醇二羧酸可塑剂、脱模剂，其中，该粉末包括摩尔比为56.0794︰79.8988︰325.8102︰101.9612的氧化钙、二氧化钛、氧化镧、氧化铝。本发明微波介质陶瓷粉能获得比一般介电常数为45的陶瓷原料更高的Q值及更稳定的温度系数。本发明还公开该微波介质陶瓷粉的制备方法，应用该微波介质陶瓷粉的微波介质陶瓷与微波元器件。
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公开(公告)号：CN110380165B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910758672.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种介质滤波器，其包括：本体、设置于本体上的负耦合结构和谐振腔；本体具有顶面和底面，负耦合结构包括：开设于本体底面上的底部盲槽、开设于盲槽中的通孔、形成于本体底面上并沿底部盲槽的槽口边缘设置的凹槽、开设于本体顶面的顶部盲槽，底部盲槽与顶部盲槽的位置对应设置，底部盲槽和底部盲槽的深度h、长度l、宽度w、凹槽的内径R1、外径R2与介质滤波器的滤波带宽呈反比，谐振腔分布于负耦合结构的两侧，任一谐振腔自本体的顶面延伸至本体的中部。本发明的介质滤波器通过在本体的顶面上设置负耦合结构，其可对滤波器的负耦合量的大小进行调节，进而控制滤波器的滤波带宽，有利于获得需求滤波带宽的滤波器。
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公开(公告)号：CN115275596A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211087321.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小型化斜率功分及基于该斜率功分的基站天线，包括至少两列低频辐射单元阵列、最多四列高频辐射单元阵列、左列阵列、右列阵列与小型化斜率功分，所述低频辐射单元阵列与高频辐射单元阵列均连接有进行馈电的电缆线，所述低频辐射单元阵列上电性设置有第二低频单元与第一低频单元。本发明所述的一种小型化斜率功分及基于该斜率功分的基站天线，小尺寸，结构简单，低成本，性能优良，在普通功分器的基础上创造性的引入了开路支节，良好的功率分布极大收窄了天线整个频带内低频部分的水平波宽，而对高频部分没有影响，极大提高了天线水平波宽的收敛性并改善了增益和前后比。
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公开(公告)号：CN111490319A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910087620.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种微波滤波器，包括微波滤波器本体，微波滤波器本体的上表面上设有至少二个介质谐振孔，介质谐振孔为盲孔，微波滤波器本体上设有防干扰槽，防干扰槽为具有设定长宽高的矩形槽，防干扰槽位于任意相邻二个介质谐振孔的一侧，微波滤波器本体的上表面上且位于任意相邻二个介质谐振孔之间还设有负耦合槽，负耦合槽为盲槽且其由防干扰槽靠近介质谐振孔的一侧侧壁上向介质谐振孔方向延伸设置。本发明在一对介质谐振孔之间开设负耦合槽，通过调节负耦合槽的长度、宽度和槽深可以控制耦合量的大小，从而实现微波滤波器的负耦合，加工简单，具有高Q值、低损耗、高选择性、信号失真小的功能，并且具有线型相位。
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公开(公告)号：CN111195975A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010118126.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷波导滤波器胚体成型模具，包含上模、中模、下模、芯棒、内冲；所述中模内设置有模腔；所述上模和下模分别设置在中模的正上方和正下方；所述芯棒依次穿过上模、模腔伸入下模内；所述内冲穿过上模或下模伸入模腔内；所述上模包括上模座、设置在上模座底部可伸入模腔内的上模冲；所述下模包括下模座、设置在下模座顶部可伸入模腔内的下模冲；所述上模、下模、芯棒、内冲分别连接驱动器，且在驱动器的驱动下能够各自独立的上升或者下降；本发明通过芯棒可以干压成型通孔和通槽，通过内冲还可以干压成型盲孔和盲槽，能够极大的提高成型胚体的良率。
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