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公开(公告)号：CN110380165B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910758672.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种介质滤波器，其包括：本体、设置于本体上的负耦合结构和谐振腔；本体具有顶面和底面，负耦合结构包括：开设于本体底面上的底部盲槽、开设于盲槽中的通孔、形成于本体底面上并沿底部盲槽的槽口边缘设置的凹槽、开设于本体顶面的顶部盲槽，底部盲槽与顶部盲槽的位置对应设置，底部盲槽和底部盲槽的深度h、长度l、宽度w、凹槽的内径R1、外径R2与介质滤波器的滤波带宽呈反比，谐振腔分布于负耦合结构的两侧，任一谐振腔自本体的顶面延伸至本体的中部。本发明的介质滤波器通过在本体的顶面上设置负耦合结构，其可对滤波器的负耦合量的大小进行调节，进而控制滤波器的滤波带宽，有利于获得需求滤波带宽的滤波器。
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公开(公告)号：CN210607545U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921333274.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种介质滤波器，其包括：本体、设置于本体上的负耦合结构和谐振腔；本体具有顶面和底面，负耦合结构包括：开设于本体底面上的底部盲槽、开设于盲槽中的通孔、形成于本体底面上并沿底部盲槽的槽口边缘设置的凹槽、开设于本体顶面的顶部盲槽，底部盲槽与顶部盲槽的位置对应设置，底部盲槽和底部盲槽的深度h、长度l、宽度w、凹槽的内径R1、外径R2与介质滤波器的滤波带宽呈反比，谐振腔分布于负耦合结构的两侧，任一谐振腔自本体的顶面延伸至本体的中部。本实用新型的介质滤波器通过在本体的顶面上设置负耦合结构，其可对滤波器的负耦合量的大小进行调节，进而控制滤波器的滤波带宽，有利于获得需求滤波带宽的滤波器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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