公开(公告)号：CN117790109A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410041224.0

申请日：2024-01-11

Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司

Inventor： 莫超超 ,  周振国 ,  常新新 ,  高通

IPC: H01F7/02 ,  C23C14/35 ,  H05H1/10

Abstract: 本申请涉及一种磁棒组件及磁控溅射设备。磁棒组件包括磁轭基板以及设置于磁轭基板上的多个磁组，多个磁组沿第一方向排布，每个磁组包括沿第二方向排列的多个第一磁铁；多个磁组包括至少一个中部磁组和位于中部磁组两侧的边部磁组；至少一个磁组中的多个第一磁铁的充磁方向沿第二方向呈周期性变化。如此设置，可以使形成的电子跑道中段部分呈现为周期性变化的波形，由此，可以改善电子向电子跑道两端漂移的现象。波形中波峰区域等离子体浓度上升，波谷区域等离子体浓度下降，即等离子体浓度呈现为周期性变化，这样，可以保证电子跑道整体上具有较为均匀的等离子体浓度。从而可以降低靶材两端的刻蚀速率，有利于提高靶材寿命。

公开(公告)号：CN116837337A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310872187.3

申请日：2023-07-17

Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司

Inventor： 张永胜 ,  高通 ,  解传佳 ,  周振国 ,  武瑞军

IPC: C23C14/35 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明涉及溅射镀膜工艺技术领域，尤其涉及一种磁控溅射装置。包括支撑座和磁铁组件。支撑座上设置有调节组件。磁铁组件包括磁轭、第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块，调节组件与磁轭连接，调节组件被配置为调节磁铁组件与靶材之间的距离。第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块均设置在磁轭上，沿第一方向，第一类磁铁块位于磁轭的两端位置处，第三类磁铁块位于磁轭的中部位置处，第二类磁铁块位于第一类磁铁块和第三类磁铁块之间；通过对第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块充磁方向进行相应调整，进而改善磁铁组件的磁场分布。该磁控溅射装置能够提高靶材的利用率，节约成本。

公开(公告)号：CN219218134U

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202222766180.7

申请日：2022-10-20

Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司

Inventor： 解传佳 ,  高通 ,  张永胜 ,  武瑞军

IPC: C23C14/35

Abstract: 本申请公开了一种用于磁控溅射的阴极装置及磁控溅射设备，属于磁控溅射装置领域。一种用于磁控溅射的阴极装置，包括：靶筒，设于靶筒内的磁棒组件，及设于靶筒外表面的溅射靶材；其中磁棒组件包括封装件，设于封装件内的磁棒、调节机构、温度检测部件和处理器；封装件的外表面与靶筒的内壁之间形成有冷却介质通道；磁棒包括磁铁和磁轭，磁铁安装在磁轭上，磁轭背离磁铁的一侧表面设有多个调节点，多个调节点分别与调节机构连接，以通过调节机构调整磁铁与溅射靶材的间距；调节机构、温度检测部件分别与处理器信号连接。本申请的阴极装置无需与外部通讯，可以实现磁场强度的调节，降低了漏水或漏气的风险，故障率相对较低，可靠性相对较高。