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公开(公告)号：CN115537747B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202211351999.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件，靶材筒组件位于真空腔室内，磁棒组件位于靶材筒组件的内部，汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧，汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线，避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上，使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置，减少了靶材的损耗，降低了生产成本，提升了产品良率，延长了磁控溅射设备的维护周期，提高了设备的开机效率。
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公开(公告)号：CN116837337A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310872187.3
申请日：2023-07-17
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及溅射镀膜工艺技术领域，尤其涉及一种磁控溅射装置。包括支撑座和磁铁组件。支撑座上设置有调节组件。磁铁组件包括磁轭、第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块，调节组件与磁轭连接，调节组件被配置为调节磁铁组件与靶材之间的距离。第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块均设置在磁轭上，沿第一方向，第一类磁铁块位于磁轭的两端位置处，第三类磁铁块位于磁轭的中部位置处，第二类磁铁块位于第一类磁铁块和第三类磁铁块之间；通过对第一类磁铁块、第二类磁铁块和第三类磁铁块充磁方向进行相应调整，进而改善磁铁组件的磁场分布。该磁控溅射装置能够提高靶材的利用率，节约成本。
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公开(公告)号：CN115537747A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211351999.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件，靶材筒组件位于真空腔室内，磁棒组件位于靶材筒组件的内部，汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧，汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线，避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上，使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置，减少了靶材的损耗，降低了生产成本，提升了产品良率，延长了磁控溅射设备的维护周期，提高了设备的开机效率。
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公开(公告)号：CN116855909B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311133407.7
申请日：2023-09-05
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种提高靶材利用率的溅射方法、溅射阴极装置及溅射设备。将靶材的表面的刻蚀跑道的线性区域划分为相对排布的第一侧跑道和第二侧跑道，提高靶材利用率的溅射方法包括如下步骤：获取相应的靶材进行镀膜的镀膜基片的膜厚分布情况，根据镀膜基片的膜厚分布情况，判断第一侧跑道和第二侧跑道两者中哪一者为等离子体增强侧跑道，哪一者为等离子体非增强侧跑道，将等离子体增强侧跑道的磁场强度整体减弱。溅射阴极装置及溅射设备通过应用上述提高靶材利用率的溅射方法，使得靶材被均匀刻蚀，提高靶材的利用率，无需增设阳极组件，降低成本，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN117604477A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410057110.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种磁控溅射设备及磁控溅射方法。本申请的磁控溅射设备包括：溅射腔室、位于溅射腔室内且相对设置的基片台和溅射阴极。磁控溅射设备还包括位于溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极和第二对向靶阴极，以及设置于第一对向靶阴极的第一磁控组件和设置于第二对向靶阴极的第二磁控组件，第一磁控组件和第二磁控组件用于在基片台和溅射阴极之间形成磁场。上述磁控溅射设备能够增加粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114774877A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210506190.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于溅射镀膜技术领域，公开了一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备。该提高旋转靶材利用率的溅射方法中，在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息；根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图；根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度，以使所述靶材均匀消耗。在线获取靶材刻蚀情况并自动调整磁场强度，不需要对真空室破除真空后取出靶材调整更方便，且有利于提高调整频率，从而能够及时调整靶材轴向各处的磁场强度，有利于增大靶材利用率的调整幅度。本发明提供的溅射设备能够在线获取靶材表面刻蚀情况并调整对应位置磁场强度，不需人工操作，效率高，调整及时，能明显改善靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN116288199A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310100810.3
申请日：2023-02-10
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体公开了一种镀膜装置。本发明提供的镀膜装置包括箱体、基片载具、靶材和金属栅网，箱体具有真空腔体，满足镀膜的真空环境需求，基片载具用于承载待镀膜的基片，在基片载具和靶材之间设置金属栅网，金属栅网连接正极电压，靶材连接负极电压，金属栅网能吸附和中和氧负离子和电子，降低了PVD成膜过程中氧负离子和电子对基片的非晶硅膜层的损伤和以及对基片的温升，提高了异质结太阳能电池的开路电压和填充因子，提升了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN115976485A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211632285.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种动态镀膜装置及其动态镀膜方法，动态镀膜装置包括控制模块及沿第一方向依次排布的缓冲腔、过渡腔及镀膜腔，过渡腔包括至少三个检测元件，相邻两个检测元件限定出一过渡区间，过渡区间内设有一驱动机构，驱动机构具有工艺速度、传动速度及极限速度；控制模块与检测元件、驱动机构通信连接，用于在靠近镀膜腔的检测元件检测到前一基片远离镀膜腔的尾部离开时控制驱动机构加速至传动速度，且靠近镀膜腔的检测元件检测到后一基片靠近镀膜腔的头部开始离开时控制驱动机构降速至工艺速度；多次追赶的加速度和传动速度较小，降低基片碎片率，缩短相邻基片的间距，实现20mm以下间距连续镀膜，减少靶材浪费，提升镀膜工艺稳定性及产品良率。
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公开(公告)号：CN114318293A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111644533.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电池片成膜气氛控制方法、成膜系统和成膜方法，属于电池成膜技术领域。它包括预先设定电池片成膜气氛中所需的标准水汽分压P标＝P1±P2，其中P1‑P2为标准水汽分压的最低值，P1+P2为标准水气分压的最高值；将待成膜电池片置于成膜腔体中，成膜腔体中设有温度可调的冷阱盘管，冷阱盘管的温度调节范围为‑180℃～‑100℃；电池片成膜气氛中的实际水汽分压为P实，若P实＞P1+P2，则通过降低冷阱盘管的温度来降低P实并使其在P1±P2范围内；若P实＜P1‑P2，则通过增加冷阱盘管的温度来增加P实并使其在P1±P2范围内。本发明能有效控制电池片成膜气氛中的水汽含量，进而提升成膜电池片的转换效率Eta等性能。
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公开(公告)号：CN114231997A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111310480.8
申请日：2021-11-08
Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种载板的清洗方法及其应用，属于载板清洗技术领域。一种载板的清洗方法，所述方法包括：S100、对载板进行预镀膜处理，使载板的表面形成有预镀膜层，所述预镀膜层的材料包括不耐酸的金属氧化物；S200、将硅片置于步骤S100得到的载板中，以载板作为硅片镀膜载具对硅片进行镀膜处理，镀膜处理后，载板的表面形成有透明导电膜；S300、将步骤S200的载板进行酸洗，以去除载板表面的预镀膜层和透明导电膜。本申请能够改善载板的清洗效果，且在清洗过程中能够避免载板的变形，可以实现载板的反复利用。
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