脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118316394B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410734452.6

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本申请提供一种脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质,涉及无线能量传输技术领域,该方法应用于测量脉冲激光无线能量传输系统的测量设备,该系统包括:被脉冲激光照射的光伏电池阵列;该测量设备包括:光功率计、电子负载、示波器;该方法包括:脉冲激光器发射脉冲激光辐照至光伏电池阵列,电子负载为光伏电池阵列提供可调整的反向电压,通过示波器获取电子负载与光伏电池阵列之间的脉冲电流、脉冲电压,并通过光功率计获取光功率;调节电子负载提供的反向电压,并对脉冲电流、脉冲电压、光功率进行数据处理,以获得光伏电池阵列的最佳光电转换特性。有益效果为:整个系统简单易实行,提高了光电转换特性测量的准确性。

    自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备

    公开(公告)号:CN118646174B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411118875.1

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本申请提供一种自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备,涉及无线能量传输技术领域,该系统包括:发射端、接收端和反馈控制端;发射端基于预设控制参数产生脉冲激光,将脉冲激光的一部分传输至控制器,将脉冲激光的另一部分发射至接收端;接收端接收另一部分脉冲激光,并将脉冲激光的光能转换为电能;追踪最大功率,并利用接收端的电源管理装置对电能进行转化;反馈控制端基于传输的一部分脉冲激光的光功率和最大功率,对预设控制参数进行交叉扰动,并将交叉扰动后的控制信号反馈至脉冲激光产生模块,脉冲激光产生模块接收到反馈信号后可调整到最佳脉冲激光频率和占空比,实现了高转换效率的激光无线能量传输。

    脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118316394A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410734452.6

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本申请提供一种脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质,涉及无线能量传输技术领域,该方法应用于测量脉冲激光无线能量传输系统的测量设备,该系统包括:被脉冲激光照射的光伏电池阵列;该测量设备包括:光功率计、电子负载、示波器;该方法包括:脉冲激光器发射脉冲激光辐照至光伏电池阵列,电子负载为光伏电池阵列提供可调整的反向电压,通过示波器获取电子负载与光伏电池阵列之间的脉冲电流、脉冲电压,并通过光功率计获取光功率;调节电子负载提供的反向电压,并对脉冲电流、脉冲电压、光功率进行数据处理,以获得光伏电池阵列的最佳光电转换特性。有益效果为:整个系统简单易实行,提高了光电转换特性测量的准确性。

    自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备

    公开(公告)号:CN118646174A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202411118875.1

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本申请提供一种自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备,涉及无线能量传输技术领域,该系统包括:发射端、接收端和反馈控制端;发射端基于预设控制参数产生脉冲激光,将脉冲激光的一部分传输至控制器,将脉冲激光的另一部分发射至接收端;接收端接收另一部分脉冲激光,并将脉冲激光的光能转换为电能;追踪最大功率,并利用接收端的电源管理装置对电能进行转化;反馈控制端基于传输的一部分脉冲激光的光功率和最大功率,对预设控制参数进行交叉扰动,并将交叉扰动后的控制信号反馈至脉冲激光产生模块,脉冲激光产生模块接收到反馈信号后可调整到最佳脉冲激光频率和占空比,实现了高转换效率的激光无线能量传输。

    一种半导体发光结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119965677A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510421116.0

    申请日:2025-04-07

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法。半导体发光结构包括:半导体衬底层;位于半导体衬底层上的下限制层;位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制层;绝缘外延层,位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧且位于下波导层、有源层、上波导层和上限制层在慢轴方向的两侧;第一隔离槽和第二隔离槽,第一隔离槽和第二隔离槽均沿慢轴方向自上限制层在慢轴方向一侧的绝缘外延层中穿过上限制层并延伸至上限制层在慢轴方向另一侧的绝缘外延层中,第一隔离槽位于第二隔离槽背离后腔面的一侧。

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