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公开(公告)号：CN114583556B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210477824.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：；；其中：，；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
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公开(公告)号：CN114094443A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210069124.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
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公开(公告)号：CN114583556A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210477824.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：；；其中：，；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
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公开(公告)号：CN114094443B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210069124.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
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公开(公告)号：CN116316073B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310588558.5
申请日：2023-05-24
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，制备方法包括：刻蚀初始上波导层、初始有源层和初始下波导层直至暴露出第二初始刻蚀停止层，使初始上波导层形成上波导层，使初始有源层形成有源层，使初始下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的侧壁表面富析第一元素；刻蚀第二初始刻蚀停止层直至暴露出第一刻蚀停止层，使第二初始刻蚀停止层形成第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层的侧壁表面富析第二元素，第一刻蚀停止层的材料中包含第一元素且不包含第二元素；在形成绝缘外延层的第一升温步骤中通入第一保护气体，第一保护气体的材料中包含第一元素且不包含第二元素；之后形成上限制层。有效的降低了漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497310B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210392751.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN114498289B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210336910.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
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公开(公告)号：CN114465088A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210381822.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/065 , H01S5/062 , H01S5/02255
Abstract: 本发明提供一种波长锁定系统。所述的波长锁定系统包括：空间合束模块，所述空间合束模块包括半导体发光器件；外腔镜；第一透射式面光栅，所述第一透射式面光栅位于所述空间合束模块和所述外腔镜之间的光路中；第二透射式面光栅，所述第二透射式面光栅位于所述外腔镜出光一侧的光路中，所述第二透射式面光栅适于对所述第一透射式面光栅至所述外腔镜之前的光束的色散进行补偿。本发明采用第二透射式面光栅对通过外腔镜的光束进行色散补偿，输出光束质量提高，输出亮度提高。
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公开(公告)号：CN114430002A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210353728.7
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种高效率有源层和半导体发光器件及其制备方法，高效率有源层包括：应变量子阱层；位于所述应变量子阱层一侧的第一应变势垒层，所述第一应变势垒层用于传输电子；所述第一应变势垒层和所述应变量子阱层用于形成应变补偿；位于所述应变量子阱层另一侧的第二势垒层，所述第二势垒层用于传输空穴；所述第一应变势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶小于所述应变量子阱层的价带与所述第一应变势垒层的价带之间的带阶，且所述应变量子阱层的价带与第二势垒层的价带之间的带阶小于所述第二势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶。提高了发光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN114122913B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210110428.6
申请日：2022-01-29
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法，高亮度高功率半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的调制结构，所述调制结构包括：载流子调制有源层；位于所述载流子调制有源层背离所述半导体衬底层一侧的调制隧道结；位于所述调制隧道结背离所述载流子调制有源层一侧的腔延长层；位于所述调制结构背离所述半导体衬底层一侧的第一有源层，所述载流子调制有源层中的载流子浓度小于所述第一有源层中的载流子浓度；位于所述第一有源层背离所述调制结构一侧的第一电流限制层。所述高亮度高功率半导体发光器件在实现高亮度和高功率的同时无法兼顾集成度高、可靠性高、成本低。
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