公开(公告)号：CN111755440A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010126284.4

申请日：2020-02-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·默西 ,  R·基奇 ,  N·G·米努蒂洛 ,  S·维什瓦纳特

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417

Abstract: 描述了具有带有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体在鳍状物的上部鳍状物部分之上，该栅极堆叠体具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第一和第二源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度与砷的原子浓度基本上相同。

公开(公告)号：CN115863432A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211024033.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·甘古利 ,  R·基奇 ,  A·默西 ,  M·哈桑 ,  P·帕特尔 ,  T·加尼 ,  S·拉菲克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 论述了与各向异性回蚀沉积的外延源极和漏极半导体材料以实现所制造晶体管中减小的横向源极和漏极跨度相关的方法、晶体管和系统。所述源极和漏极材料的这种横向宽度减小能够改善晶体管的缩放并且减小所得源极和漏极半导体材料中的扰动。

公开(公告)号：CN113851541A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011557547.3

申请日：2020-12-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿格拉瓦尔 ,  A·S·默西 ,  C·邦伯格 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  K·甘古利 ,  R·基奇 ,  S·舒克赛 ,  S·高斯 ,  W·拉赫马迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 描述了在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构，以及制造在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括在衬底上方的绝缘体层。水平半导体纳米线的垂直布置体在绝缘体层上方。栅极叠层围绕水平半导体纳米线的垂直布置体的沟道区，并且栅极叠层在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构在水平半导体纳米线的垂直布置体的第一和第二端处并且在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构中的每一个具有压缩或扩展的晶格。

公开(公告)号：CN113851537A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011505259.3

申请日：2020-12-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿格拉瓦尔 ,  B·米勒 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  J·托里斯 ,  K·俊 ,  S·舒克赛 ,  W·拉赫马迪 ,  K·甘古利 ,  R·基奇 ,  M·V·梅斯 ,  A·S·默西

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y10/00

Abstract: 描述了具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构，以及制造具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构，包括在衬底上方的第一垂直布置的纳米线。所述第一垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴拉伸应变。所述集成电路结构还包括在所述衬底上方的第二垂直布置的纳米线。所述第二垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴压缩应变。所述第二垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线与所述第一垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线横向错开。

公开(公告)号：CN114664916A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111294043.1

申请日：2021-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·甘古利 ,  R·基奇 ,  H·肯内尔 ,  W·拉赫马迪 ,  A·阿格拉瓦尔 ,  G·格拉斯 ,  A·默西 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 高纯度Ge沟道N型晶体管包括将沟道与重掺杂有N型杂质的Ge源极和漏极分开的基于Si的阻挡材料。阻挡材料可以具有纳米厚度，并且还可以掺杂有N型杂质。由于Si的含量，N型杂质在阻挡材料内具有较低的扩散率，并且可以防止其进入高纯度Ge沟道材料。除了Si之外，阻挡材料还可以包括C。通过阻挡材料，N型晶体管可以显示出更高的沟道迁移率和减少的短沟道效应。

公开(公告)号：CN114664789A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111393718.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·俊 ,  S·高希 ,  W·拉赫马迪 ,  A·阿格拉瓦尔 ,  S·舒克赛 ,  J·托雷斯 ,  J·卡瓦列罗斯 ,  M·梅茨 ,  R·基奇 ,  K·甘古利 ,  A·默西

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 集成电路互连结构包括在第一装置层级上方的金属化层级。金属化层级包括耦合到装置结构的互连结构、在互连结构的最上表面上的包括互连结构的金属与硅或锗的合金的导电帽。导电帽上方的第二装置层级包括与导电帽耦合的晶体管。晶体管包括包含半导体材料的沟道层，其中导电帽的至少一个侧壁与沟道层的侧壁共面。晶体管还包括在沟道层的第一部分上的栅极，其中栅极位于源极区和漏极区之间，其中源极区或漏极区中的一个与导电帽接触。