公开(公告)号：CN113851531A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011542839.X

申请日：2020-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·S·拉夫里克 ,  G·A·格拉斯 ,  T·T·特勒格尔 ,  S·维什瓦纳特 ,  J·K·杰哈 ,  J·F·理查兹 ,  A·S·默西 ,  S·慕克吉

IPC: H01L29/45 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 描述了用于制造包括硅化钛材料的集成电路结构的方法和所得的结构。在示例中，集成电路结构包括半导体鳍状物、栅极电极，所述半导体鳍状物在衬底上方，所述栅极电极在半导体鳍状物的一部分的顶部之上并且与半导体鳍状物的该部分的侧壁相邻。硅化钛材料在栅极电极的第一侧处和第二侧处与第一外延半导体源极或漏极结构和第二外延半导体源极或漏极结构中的每一个直接接触。硅化钛材料与第一外延半导体源极或漏极结构和第二外延半导体源极或漏极结构中的每一个的非平坦形貌共形并且气密密封第一外延半导体源极或漏极结构和第二外延半导体源极或漏极结构中的每一个的非平坦形貌。硅化钛材料具有包括95％或更大化学计量的TiSi2的总原子组成。

公开(公告)号：CN111755444A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010199120.4

申请日：2020-03-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·邦伯格 ,  A·默西 ,  S·维什瓦纳特

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36

Abstract: 描述了具有带有低电阻率的源极结构或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体处于鳍状物的上部鳍状物部分上方，所述栅极堆叠体具有相对的第一侧和第二侧。第一源极结构或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入到鳍状物中的外延结构。第二源极结构或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入到鳍状物中的外延结构。第一和第二源极结构或漏极结构中的每一外延结构包括硅、锗和硼。第一和第二源极结构或漏极结构具有小于或等于0.3mOhm·cm的电阻率。

公开(公告)号：CN111755440A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010126284.4

申请日：2020-02-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·默西 ,  R·基奇 ,  N·G·米努蒂洛 ,  S·维什瓦纳特

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417

Abstract: 描述了具有带有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体在鳍状物的上部鳍状物部分之上，该栅极堆叠体具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第一和第二源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度与砷的原子浓度基本上相同。

公开(公告)号：CN114664951A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111438853.X

申请日：2021-11-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·贾扬提纳拉辛哈姆 ,  B·格林 ,  S·维什瓦纳特

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 描述了无衬底垂直二极管集成电路结构和制造无衬底垂直二极管集成电路结构的方法。例如，无衬底集成电路结构包括在电介质层中的半导体鳍状物，半导体鳍状物具有顶部和底部，并且电介质层具有顶表面和底表面。第一外延半导体结构在半导体鳍状物的顶部上。第二外延半导体结构在半导体鳍状物的底部上。第一导电触点在第一外延半导体结构上。第二导电触点在第二外延半导体结构上。