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公开(公告)号：CN116864500A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310848759.4
申请日：2019-03-04
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/98
Abstract: 实施例包括半导体封装以及形成半导体封装的方法。一种半导体封装包括位于第一管芯和第一通孔之上及其周围的模制物。半导体封装具有设置在第一管芯的顶表面和/或模制物的顶表面上的第一再分布层的导电焊盘。半导体封装包括第二管芯，其具有耦合到第二管芯的底表面上的管芯焊盘的焊球，其中第二管芯的焊球耦合到第一再分布层。第一再分布层将第二管芯耦合到第一管芯，其中第二管芯具有第一边缘和第二边缘，并且其中第一边缘定位在第一管芯的占用区域内，第二边缘定位在第一管芯的占用区域外。
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