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公开(公告)号：CN104081463B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201180075812.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C2213/71 , G11C2213/78 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种具有存储器元件(每个带有两个磁性隧道结(MTJ)部件)的磁性存储器。每个元件中的部件借助互补数据进行区别编程。每个元件的部件被堆叠成一个在另一个之上，如此该元件不需要比单个MTJ部件更多的基板面积。
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公开(公告)号：CN104584250B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380043271.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L43/02
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/18 , H01F10/1933 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/325 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
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公开(公告)号：CN107275479A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710469491.8
申请日：2011-12-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·C·郭 , B·S·多伊尔 , A·雷什欧迪伊 , R·戈利扎德莫亚拉德 , K·奥乌兹
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中，借助非磁性间隔体实施附加铁磁层，其中，可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度，以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中，配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
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公开(公告)号：CN105474320A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046356.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C29/028 , G11C29/56008 , G11C29/56012 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08
Abstract: 描述了具有增强的稳定性和低阻尼的垂直自旋转移转矩存储器(STTM)器件。例如，用于磁隧道结的材料层堆叠体包括固定磁层。在所述固定磁层之上设置电介质层。在所述电介质层之上设置第一自由磁层。第二自由磁层与所述第一自由磁层磁耦合。
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公开(公告)号：CN104011862A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180076063.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·C·郭 , B·S·多伊尔 , A·雷什欧迪伊 , R·戈利扎德莫亚拉德 , K·奥乌兹
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中，借助非磁性间隔体实施附加铁磁层，其中，可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度，以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中，配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275479B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710469491.8
申请日：2011-12-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·C·郭 , B·S·多伊尔 , A·雷什欧迪伊 , R·戈利扎德莫亚拉德 , K·奥乌兹
Abstract: 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中，借助非磁性间隔体实施附加铁磁层，其中，可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度，以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中，配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
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公开(公告)号：CN104813470B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380060845.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： B·S·多伊尔 , C·C·郭 , D·L·肯克 , R·戈利扎德莫亚拉德 , U·沙阿
IPC: H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/22 , G11C11/155 , G11C11/16
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/155 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 自旋转移扭矩存储器(STTM)器件包括场板以用于施加电场来减小转移扭矩诱导的磁化切换所需的临界电流。实施例不仅利用电流诱导的磁场或自旋转移扭矩，并且还利用对磁偶极子定向的电场诱导的操纵来设置磁性器件元件中的状态(例如，对存储器元件进行写入)。由在MTJ电极与该场板之间的电压差产生的电场向磁性隧穿结(MTJ)的自由磁性层施加电场以调制所述自由磁性层的至少一部分范围上的一个或多个磁属性。
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公开(公告)号：CN106463168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079621.1
申请日：2014-07-07
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 公开了用于形成包括磁性隧道结(MTJ)(例如，具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件)的集成电路结构的技术。该技术包括并入附加磁性层(例如，与磁性接触层类似或相同的层)，以使得该附加磁性层反铁磁地(或者以大体上反平行的方式)耦合。附加磁性层可以有助于平衡磁性接触层的磁场，以限制将以其它方式由磁性接触层引起的寄生边缘场。该附加磁性层可以例如通过在两个磁性层之间包括非磁性间隔体层来反铁磁地耦合到磁性接触层，由此创建合成的反铁磁体(SAF)。该技术可以例如有益于具有与MTJ叠置体的层大体上共线或大体上共面的磁性方向的磁性接触部。
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公开(公告)号：CN104813470A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060845.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： B·S·多伊尔 , C·C·郭 , D·L·肯克 , R·戈利扎德莫亚拉德 , U·沙阿
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/155 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 自旋转移扭矩存储器(STTM)器件包括场板以用于施加电场来减小转移扭矩诱导的磁化切换所需的临界电流。实施例不仅利用电流诱导的磁场或自旋转移扭矩，并且还利用对磁偶极子定向的电场诱导的操纵来设置磁性器件元件中的状态(例如，对存储器元件进行写入)。由在MTJ电极与该场板之间的电压差产生的电场向磁性隧穿结(MTJ)的自由磁性层施加电场以调制所述自由磁性层的至少一部分范围上的一个或多个磁属性。
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公开(公告)号：CN104081463A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201180075812.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C2213/71 , G11C2213/78 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种具有存储器元件(每个带有两个磁性隧道结(MTJ)部件)的磁性存储器。每个元件中的部件借助互补数据进行区别编程。每个元件的部件被堆叠成一个在另一个之上，如此该元件不需要比单个MTJ部件更多的基板面积。
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