公开(公告)号：CN119963394A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411370819.7

申请日：2024-09-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V·兰甘纳坦 ,  G·陈 ,  S·帕尔 ,  J·E·帕拉奥索里奥 ,  A·亨特 ,  B·库兹耐特索夫 ,  D·恩凯 ,  S·K·西马库尔蒂 ,  J·瓦莱里奥 ,  S·D·沙旺 ,  A·库玛辛格 ,  S·潘迪亚 ,  S·蒂潘纳纳瓦尔尼兰詹 ,  A·柯蒂斯 ,  J·菲利普 ,  M·库尔卡尼 ,  F·傅 ,  J·维格特 ,  B·施瓦茨

IPC: G06T1/20 ,  G06F15/173 ,  G06F15/78 ,  G06F15/163 ,  G06F9/30

Abstract: 本文中描述的是具有带有可配置线程和寄存器配置的处理资源的图形处理器。程序代码可以配置硬件线程在由图形处理器执行程序代码期间将使用的寄存器和累加器的数量。图形处理器内的处理资源可以被配置成用于基于由要由处理资源执行的程序代码请求的配置来将不同数量的寄存器和累加器指派给硬件线程。

公开(公告)号：CN119230606A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311833396.3

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·默西 ,  S·潘迪亚 ,  J·卡里 ,  R·埃勒特 ,  T·加尼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/167 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种具有掺锑和磷的外延源极/漏极层的晶体管。在一些实施方式中，一种器件可以包括沟道材料。另外，所述器件可以包括接触金属。所述器件可以包括位于所述沟道材料和所述接触金属之间的第一层，所述第一层具有锑和硅。此外，所述器件可以包括位于所述接触金属和所述第一层之间的第二层，所述第二层包括磷和硅。