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公开(公告)号:CN104051363B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201410094226.2
申请日:2014-03-14
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/5381 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体;由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片;密封材料,其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封;以及多个重新分布层,其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上,其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。
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公开(公告)号:CN105720055A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201510947752.3
申请日:2015-12-17
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明涉及可缩放电流感测晶体管。一种半导体器件包括主晶体管和感测晶体管。主晶体管被设置在半导体主体中并且包括多个区段,该多个区段经由设置在半导体主体之上的分离栅极电极单独可控制。感测晶体管被设置在与主晶体管相同的半导体主体中,并且具有与主晶体管相同数目的单独可控制区段。感测晶体管的每个单独可控制区段被配置成镜像流过主晶体管的单独可控制区段中的一个的电流,并且被连接到与主晶体管的该单独可控制区段相同的栅极电极。还提供了包括半导体器件的电子电路和输出表示由感测晶体管镜像的电流的电流感测信号的电流感测电路。
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公开(公告)号:CN105720055B
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201510947752.3
申请日:2015-12-17
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明涉及可缩放电流感测晶体管。一种半导体器件包括主晶体管和感测晶体管。主晶体管被设置在半导体主体中并且包括多个区段,该多个区段经由设置在半导体主体之上的分离栅极电极单独可控制。感测晶体管被设置在与主晶体管相同的半导体主体中,并且具有与主晶体管相同数目的单独可控制区段。感测晶体管的每个单独可控制区段被配置成镜像流过主晶体管的单独可控制区段中的一个的电流,并且被连接到与主晶体管的该单独可控制区段相同的栅极电极。还提供了包括半导体器件的电子电路和输出表示由感测晶体管镜像的电流的电流感测信号的电流感测电路。
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公开(公告)号:CN104051363A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410094226.2
申请日:2014-03-14
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/5381 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体;由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片;密封材料,其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封;以及多个重新分布层,其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上,其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。
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