公开(公告)号：CN103489829A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310233781.4

申请日：2013-06-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 曼弗雷德·恩格尔哈德特 ,  卡尔·迈尔 ,  古德伦·斯特兰兹尔 ,  马丁·泽加加

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请提供了处理晶片的方法、晶片以及制造半导体器件的方法。用于处理晶片的方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的晶片；在多个裸片区域中形成金属化区域；以及向晶片施加气体合成物，气体合成物蚀刻掉多个切面区域。所述晶片包括多个裸片区域；位于多个裸片区域之间的多个切面区域；以及位于裸片区域上的金属化区域。制造半导体器件的方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的半导体裸片；在多个裸片区域中形成金属化区域；以及向所述晶片施加气体合成物，气体合成物蚀刻掉多个切面区域。

公开(公告)号：CN103373700A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310133319.7

申请日：2013-04-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 ,  安德烈亚斯·贝伦特 ,  索克拉蒂斯·斯古里迪斯 ,  伯恩哈德·温克勒 ,  马丁·泽加加

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0094 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0139 ,  H01L21/3063

Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。

公开(公告)号：CN103373700B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310133319.7

申请日：2013-04-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 ,  安德烈亚斯·贝伦特 ,  索克拉蒂斯·斯古里迪斯 ,  伯恩哈德·温克勒 ,  马丁·泽加加

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0094 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0139 ,  H01L21/3063

Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。